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通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ－Ｖ族元素半导体颗粒镶嵌薄膜的变程跳跃电导在导电机制中起主导作用。
InAs—SiO2的电学特性研究
【摘 要】
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通过测定一系列镶嵌薄膜样品的电学特性，发现其电阻具有ＶＲＨ电导特性，认为主要是由于薄膜中的半导体受到三维发域作用导致局域态的波函数交叠引起的。研究表明对于Ⅲ－Ｖ族元素半导体颗
【机 构】
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淮南工业学院数理系
【出 处】
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安徽大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目!( 1 96771 0 2 ,1 97750 4 4 )
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