直流反应相关论文
本文应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,过控制温度改变TiO2薄膜的光学性质，应用n&kAnalyze......
采用直流反应磁控溅射技术，制备获得ZAO薄膜，研究氧分压、氩分压关键制备工艺参数对ZAO薄膜的组织结构、光、电性能的影响，并获得了最......
为了沉积高质量的硬质薄膜,避免直流反应溅射出现的靶中毒和打火现象影响薄膜质量和色彩。采用中频反应磁控技术在不锈钢基体上沉......
由于B-C-N系材料中含有超硬材料,如金刚石,立方氮化硼等,所以BCN膜引起了人们的极大兴趣.本文采用导电碳化硼做为溅射靶材,以N为反......
本文对直流磁控反应溅射法制备ZnO:Al薄膜的工艺作了具体分析,探讨了氧分压、Al含量、溅射功率和靶基距等对ZnO:Al薄膜的电学、光......
他们通过采用自行改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控技术，首次成功制备出ＺｎＯ类单晶薄膜。改变溅射条件，则可以获得不同Ｏ／Ｚｎ比的ＺｎＯ〈，１－ｘ〉薄膜。......
ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。在室温下，ZnO的禁带宽度为3．37 eV，激子结合能高达60 meV。Mg掺入ZnO薄膜形成的ZnMgO薄膜的禁带宽度，......
采用直流反应磁控溅射的方法，通过改变溅射功率、改变工作压强、改变衬底温度以及退火处理等方法，在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜。通过X......
ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新......
在氩、氮混合气氛中，对钛金属靶采用直流反应磁控溅射法，在玻璃基片上沉积了氮化钛膜。沉积过程中，总压强在０．２－３Ｐａ范围内变化。利用Ｘ射线衍射......
