【摘 要】
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ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。在室温下，ZnO的禁带宽度为3．37 eV，激子结合能高达60 meV。Mg掺入ZnO薄膜形成的ZnMgO薄膜的禁带宽度，随着Mg掺入量的不同，会在3．3-7．8 eV范围内连续可调，显示出ZnMgO在紫外波段光电器件方面广阔的应用前景。ZnMgO应用于ZnMgO／ZnO异质结、超晶格、量子阱等光学带隙工程，可以明显提高发光效率，制得的半导体激光器可以覆盖从蓝光到
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ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料。在室温下，ZnO的禁带宽度为3．37 eV，激子结合能高达60 meV。Mg掺入ZnO薄膜形成的ZnMgO薄膜的禁带宽度，随着Mg掺入量的不同，会在3．3-7．8 eV范围内连续可调，显示出ZnMgO在紫外波段光电器件方面广阔的应用前景。ZnMgO应用于ZnMgO／ZnO异质结、超晶格、量子阱等光学带隙工程，可以明显提高发光效率，制得的半导体激光器可以覆盖从蓝光到紫外光的区域。因此，ZnMgO材料的研究具有极其重要的科研意义和应用价值。但目前关于p型施主-受主共掺杂
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