溅射靶材相关论文
高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文......
在不同产业相对比较之下，半导体产业对于溅射靶材、蒸发源材料的要求是最高的，半导体领域应用靶材是世界靶材市场的主要组成之一。本......
随着通讯技术、器件及产品制造业的迅速发展，各类电子厂商对溅射靶材的需求越来越大，靶材生产企业针对通讯产品膜层的结构性能和工况......
近年来,磁控溅射沉积的ZnO薄膜在光电器件镀膜领域得到广泛的应用,ZnO磁控溅射靶材是沉积ZnO薄膜的关键耗材.本文针对镀膜行业发展......
本文研究了交叉轧制变形态高纯Cu-0.8at%Mn合金的显微组织和织构。结果显示,该6N(纯度99.9999%)CuMn合金(100)和(110)晶面择优取向......
通过金相组织观察、XRD 分析和透磁率检测,研究了Co90Zr7Ta3 三元合金微观组织,并通过分析材料组织与透磁率(pass through flux,PT......
按质量比92:2将ZnO和Al2O3粉末采用热压方法制备AZO溅射靶材。研究温度、压力、保温和保压时间等热压工艺条件对靶材相对密度的影......
运用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法,对Cr20Ni80镍铬合金溅射靶材中的Si,Mn,P,Cr,Cu,Fe,Ti,Zn,Mg和Ce元素进行了测......
本文中，利用射频磁控溅射法，以高纯(99.999％)ZnO靶作为溅射靶材，在SiO2／Si(100)村底上生长了ZnO薄膜(溅射时间分别为2h，4h，8h)并在纯氧气......
用化学共沉淀法制备了氧化锌铝粉末,用冷等静压+常压烧结法制备了相对密度为96.7％的氧化锌铝溅射靶材,并用射频磁控溅射法在玻璃基......
由于B-C-N系材料中含有超硬材料,如金刚石,立方氮化硼等,所以BCN膜引起了人们的极大兴趣.本文采用导电碳化硼做为溅射靶材,以N为反......
Novel Si3.5Sb2Te3 phase change material for phase change memory is prepared by sputtering of Si and Sb2Te3 alloy targets......
为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎......
激光诱导击穿光谱(Laser induced breakdown spectroscopy，LIBS)，又称激光诱导等离子体光谱(LIPS)，是一种激光取样的原子/离子发射光......
铁电薄膜及其在非挥发性铁电存储器（ferroelectric random access memory,简称FRAM）领域的应用是近年来国内外研究的热点。本研究分......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用粉末冶金和真空熔炼方法制备了原子比为Ti50Al50的合金靶材,利用磁控溅射工艺在同一工艺参数下制备了TiAlN涂层,借助扫描电镜......
目前在高密度磁记录薄膜中大量使用到CoCrPt系溅射靶材.重点介绍了CoCrPt系磁性靶材国内外发展现状,靶材制备中的主要工艺以及质量......
"这是一个芳华的时代,这是一个属于中国的时代,如果让我再选一次,我还会回到祖国。"说这番话的人是姚力军博士,作为掌握"超大规模......
1J22合金带作为溅射靶材的一种尝试，充分利用1J22合金冷轧带材产品具有高饱和磁感应强度、高居里温度、成分均匀、纯度高的优点．避免......
电子背散射衍射（EBSD）技术是分析高纯金靶材微观组织的有效手段，可以快速离效地定量统计材料的微观组织结构、织构、晶粒尺寸、取向差......
本文中巴西圆盘试验被应用于冷喷涂Cu-In-Ga 涂层的力学性能测试.这个实验的主要优势在于材料可以最终产品形态来测试,同时自然的......
靶材主要种类与用途分析溅射工艺属于物理气相沉积(PVD)技术的一种,是制备电子薄膜材料的主要技术之一。按照应用领域不同,电子溅......
本文按136;134和123名义配比研制了用于磁控溅射制膜的超导靶材,其中134和136配比的超导靶材增加了Cu和Ba的比例,在烧制过程中增加......
阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势。介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题，......
近年来,磁控溅射沉积的ZnO薄膜在光电器件镀膜领域得到广泛的应用,ZnO磁控溅射靶材是沉积ZnO薄膜的关键耗材.本文针对镀膜行业发展......
作为关键原材料之一，电子信息产业对溅射靶材质量要求非常严格。无损检测对于确保溅射靶材质量具有重要意义。溅射靶材生产过程中应......
用粉末冶金方法制造难熔金属钨硅化物,研究自传播高温合成技术制取钨硅的包复粉末,讨论了它的制造工艺参数及其理化性能的测定。制......
按质量比92：2将ZnO和Al2O3粉末采用热压方法制备AZO溅射靶材。研究温度、压力、保温和保压时间等热压工艺条件对靶材相对密度的影响......
3月23日，在SEMIC0N China2006霍尼韦尔展台前向本刊记者详细介绍了其公司电子材料部的有关情况并回答了部分记者的系列问题。“霍尼......
1 前言超大规模集成电路制造用的溅射靶材是采用超高纯度金属经特殊加工工艺生产出来的，是最终形成生产半导体必需的配线材料，半导体......
“首届全球IC企业家大会暨第十六届中国半导体博览会(IC China2018)”在上海举办期间,由中国半导体行业协会集成电路分会、支撑业......
一种TiO2纳米光催化不锈钢和钛纤维丝条及其制备方法，在宽0．3—3mm、厚0．01—0．1mm的不锈钢和钛纤维丝条的前后表面上涂镀有TiO2纳米薄......
提出了一种用电感耦合等离子体原子发射光谱（ICP-AES）法直接测定Cr20Ni80镍铬合金溅射靶材中主量元素Cr和次量元素Si、Mn、P、Cu、Fe......
镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射，镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜，实现半导体接触及互连。......
高纯铝合金溅射靶是重要的半导体集成电路镀膜用材料。本文将电子束焊接技术应用于溅射靶的制备，研究镀膜用高纯AlCu0．5合金（纯度〉99......
深圳市大华溅射靶材有限公司是一家集靶材研发、生产、销售于一体的高科技企业。公司以宝鸡钛业集团为依托，集合国内外先进的生产工......
国内最早从事钨、钼、铼等难熔金属材料研究、生产的单位之一。拥有该领域先进的冷、热等静压机、大型2400℃高温烧结炉、超声波探......
Nb2O5掺杂TiO2（NTO）不同掺杂比制备的薄膜和两者按比例合成制备的氧化物种类众多,且制备的产物不论是薄膜还是氧化物都具有较好的应......
日前，在第82届中国电子展上，宁波江丰电子材料有限公司董事长姚力军非常自豪地表示：我们带来了同内第一块C8．5铝溅射靶材。......
证监会近日核发10家IPO企业批文，宁波江丰电子材料股份有限公司（江丰电子）获通过。...
近年来，铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集成......
研究全返回料真空冶炼镍铬合金靶材产品内部产生裂纹的原因．通过金相显微镜、电子扫描显微镜等仪器进行观察检测，认为夹杂物是产生裂......
目前在高密度磁记录薄膜中大量使用到CoCrPt系溅射靶材。重点介绍了CoCrPt系磁性靶材国内外发展现状，靶材制备中的主要工艺以及质量......
近年来 ,铝合金薄膜广泛用作半导体集成电路的电极布线材料。作为制备溅射薄膜材料的铝合金靶材也获得了相应的应用。本文介绍了集......
