氢化物气相外延相关论文
氮化铝（AlN）是一种重要的超宽禁带半导体材料。本文研究了采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长氮化铝的表面形貌演化和生长机理。AlN的制......
建立了用于生长直径为15.24cm(6inch)的Ga2O3材料的氢化物气相外延(HVPE)生长腔的二维几何模型，对Ga2O3材料的生长进行了数值模拟。......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
作为一种新型超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_2O_3)在材料外延、功率器件和日盲探测器件研究方面已经取得显著进展。研究表明Ga_2O_......
Al N在III族氮化物半导体中具有较大的直接带隙,室温下约为6.2e V,是重要的蓝光和紫外发光材料。Al N材料还具有热导率高、电阻率......
使用数值模拟的方法,对氢化物气相外延(HVPE)生长α-Ga2O3材料的温度和反应源气流进行了优化.区别于传统的在反应腔内HCl或Cl2携带......
虽然GaN基的蓝绿色发光器件已经取得成功,但是高效率的深紫外LED器件发展缓慢。InAlGaN材料被用于深紫外发光器件的有源区,AlN......
利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面......
使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相......
GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方......
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HV......
建立了HVPE的GaN流体动力学模型。基于CFD理论在三维空间内模拟了垂直式HVPE反应室生长GaN材料的流场、生成物的分布及沉积速率等......
基于CFD理论得出了不同条件下的温场分布,研究了流速变化对HVPE反应器温场的影响。在模拟计算中,流场数值模拟基于非交错网格系统......
氢化物气相外延(hydride vapor phase epitaxy,HVPE)工艺的关键是确保加热炉的温场恒定和高精度控制。由于HVPE生长设备温度控制过......
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,......
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中......
研究了采用低温氮化铝(LT-AlN)插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长(HVPE),并比较了7nm厚的LT-AlN插入层在经过不同退火时间后对G......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在（0001）面蓝宝石衬底上生长的氮化镓（GaN）外延薄膜的结构和光学性能的影响．测试表明，氨气气氛下在生......
测量了氢化物气相外延方法生长的非特意掺杂和掺碳GaN外延膜的光致发光谱,并在光致发光谱峰位2.25 eV(550 nm)附近分别测量了光致......
根据GaN氢化物气相外延生长（HVPE）的原理，设计制作了双温区卧式HVPE系统．根据实际生长中出现的问题和GaN样品的测试情况．对系统进行了逐......
研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同......
采用均匀的多孔阳极氧化铝做掩膜在氢化物气相外延设备中生长出高质量的氮化镓膜。采用扫描电镜观察了氮化镓膜的界面性质并用阴极......
主要讨论了3种氮化镓（CaN）体单晶生长技术，包括氢化物气相外延（HVPE）、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研......
介绍了GaN基材料的基本特性、三种主要外延生长技术（MOCVD、MBE、HVPE）、衬底材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN体单晶技......
GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛应用于半导体照明和大功率电力电子器件。氢化物气相外延(Hydride Vapour Phase Epitaxy,HV......
对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面......
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳......
系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温......
利用氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结......
采用氢化物气相外延（HVPE）法生长出了高质量的厚层GaN基片。用高分辨X射线双晶衍射仪（DCXRD）及测厚仪对以N2和H2、N2混合为载气生长的......
GaN同质外延衬底的研制对发展氮化物半导体激光器、大功率高亮度LED,以及高功率电子器件等是非常重要的。本文介绍了宽禁带氮化物......
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特......
研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜......
本文基于计算流体力学(CFD)原理,运用流体力学相关知识,采用有限元分析软件对自制的立式氢化物气相外延(HVPE)系统制备GaN材料进行......
GaN是宽禁带半导体，有着十分广泛的应用。但由于大尺寸的GaN体单晶材料很难制备，所以GaN基器件主要是通过异质外延方法制作。近年来......
通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺。工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺......
采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响......
氮化镓(GaN)在充电市场、5G基站、电力系统、半导体照明、新能源汽车等领域均有着广泛的应用,氢化物气相外延(HVPE)是当今高质量Ga......
采用量子化学的密度泛函理论,对HVPE生长GaN的气相反应路径进行系统的理论计算分析,特别针对GaCl与NH3的反应、GaCl3:NH3消去H2和C......
氮化镓基Ⅲ族氮化物直接宽禁带半导体材料及合金体系带隙从0.7eV到6.2eV连续可调,拥有优异的物理、化学特性,是发展近红外-可见-紫......
随着蓝光和紫外光电器件的蓬勃发展,市场对第三代半导体材料的需求连年激增。作为第三代半导体中的代表,氮化镓（GaN）的应用最为广泛......
石墨烯自2004年发现以来,受到越来越多的关注和研究。氮化镓作为第三代半导体的代表材料,以其优异的电光学特性得到广泛的应用。本......
氮化镓(GaN)及其合金材料由于具有宽直接带隙、高载流子迁移率、高击穿电压、化学性质稳定等特点,在半导体发光二极管、激光二极管......
本文采用有限元分析软件,根据数值模拟原理,对生长GaN用的氢化物气相外延（HVPE）反应室进行了模拟。网格划分采取非结构网格与适应性......
