竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:longyouxi
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
其他文献
建筑行业近些年的发展速度比较快,建筑装饰装修也是建筑行业重要组成部分,在具体的施工中控制好质量提高管理水平就显得比较重要,这是提高施工企业市场竞争力的重要举措。基
现阶段,随着土木工程行业的不断发展,对于当前结构设计工作提出了更高的要求。结构设计作为土木工程建设的重要内容,确保其安全性与经济性至关重要,能够在有效降低成本支出,
在经济水平飞速提升的背景影响下,水利工程施工得到更高的关注度。水利工程建设的核心目的是为了控制、利用及保护地下水资源。近年来,水利工程施工建设成为了国家水利利用的
在冶金生产中,通常把具有圆形断面的直条金属产品统称为棒材,生产者通过先进的管理及创新整合各种资源获得较高质量的棒材产品、较高的棒材生产效率、良好的经济效益简称为高