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研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化,进一步影响了外延层中的位错密度和应力分布.
衬底氮化对HVPE法生长GaN的影响
【摘 要】
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研究了衬底氮化过程对于氢化物气相外延(HVPE)方法生长的GaN膜性质的影响.X射线衍射和原子力显微镜以及光荧光测量的结果表明,不同的氮化时间导致Al2O3 表面的成核层发生变化
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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