栅氧厚度相关论文
热载流子是器件可靠性研究中的一个重要方面。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的最主要一个方面。通过对这种失效机理及......
基于对功率VDMOS器件ESD保护电路及其初始条件的深入分析，并结合栅介质击穿条件，提出其瞬态响应模型。该模型通过对保护结构进行......
随着工艺特征尺寸的下降，工艺的随机偏差也越来越大，包含沟道长度、沟道宽度、栅氧厚度和阈值电压等.SRAM单元通常采用最小尺寸......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
热载流子是器件可靠性研究的热点之一。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的一个最主要方面。通过对这种失效机理及其失效......
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型，分析了反型层量子化效应对......
公司现有功率VDMOS产品的阈值电压主要分布在2~4V,现在需要开发低阈值工艺平台的产品,本文主要涉及公司内部1.5V低阈值产品的开发......
在分析半经典模型和量子模型的基础上，得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型．栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结......
文章主要讨论在相同工艺条件下，针对不同栅氧厚度（例如：Tox分别为150A、200A、250A,）的NMOSFET进行加速应力试验，在试验中当某些参数的......
研究了栅氧厚度对反熔丝PROM中存储单元性能的影响。通过改变仿真模型中栅氧层的厚度,研究了存储单元的击穿电阻等的性能的变化趋......
