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文章主要讨论在相同工艺条件下,针对不同栅氧厚度(例如:Tox分别为150A、200A、250A,)的NMOSFET进行加速应力试验,在试验中当某些参数的漂移量达到失效判据规定的值时(例如:阈值电压改变50mV),可以得到器件的应力寿命,由此估计该器件在正常工作条件下的寿命值,并对该工艺的热载流子注入效应进行评价。