【摘 要】
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随着纳米级工艺下特征尺寸的下降,SoC芯片的性能和集成度持续上升,片上工艺随机偏差也越来越大,涉及晶体管沟道长度、沟道宽度、栅氧厚度以及阈值电压等各个方面.SRAM单
【机 构】
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上海高性能集成电路设计中心 上海201204
【出 处】
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第十七届计算机工程与工艺年会暨第三届微处理器技术论坛
论文部分内容阅读
随着纳米级工艺下特征尺寸的下降,SoC芯片的性能和集成度持续上升,片上工艺随机偏差也越来越大,涉及晶体管沟道长度、沟道宽度、栅氧厚度以及阈值电压等各个方面.SRAM单元通常采用最小尺寸设计,更容易受到工艺偏差的影响,单元的稳定性和功耗逐渐成为重点关注的问题.目前,已经有大量针对如何改变SRAM单元结构来提高稳定性和降低功耗的研究,本文对近期的一些研究成果进行了分析和归纳,为SoC芯片中SRAM单元的设计提供一定的借鉴和参考.
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