束缚激子相关论文
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本......
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光......
钙钛矿单晶因为低缺陷,无晶界,可调节的能带宽度,长载流子迁移率与载流子扩散长度等突出的特性在近几年得到了广泛的关注与研究。......
在有效质量近似下 ,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下 ,量子阱中中性施主束缚激子 ( D0 ,X)体系的束缚能......
本研究在有效质量近似下，选用了三个变分参数的波函数，利用变分法数值计算了无限深方形量子阱线中中性施主束缚激子体系(D0，X)的......
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实......
提出了计算体系基态能的变尺度法,用该算法计算了电子和空穴有效质量比值不同时,离子化施主束缚激子(D+,X)的基态能.在求解体系基......
采用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂Sn的TiO2纳米粒子,并主要利用表面光电压谱(SPS)和电场诱导表面光电压谱(EFISPS)对样品进行了表征,......
本文介绍两位笔者分别运用黄昆先生的理论,并在黄昆先生直接指导下,在研究固体中的晶格振动、光色散及电声子耦合方面的几项实验工......
在考虑内建电场效应和量子点（QD）的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的......
在描述半导体光学特性时,激子具有重要意义.自由激子束缚在杂质上可形成束缚激子,因此,研究束缚激子体系(D0,X)的束缚能又显得尤其......
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管／线复合阵列．利用表面光电压谱（SPS）和场诱导表面光电压谱（FISPS）研究了退火对TiO2纳米管／线复合阵列表面......
宽直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料ZnO，由于其光电特性受缺陷影响较小，激子束缚能较高（60meV，GaN为25meV），体材料可得，生长温度较低（可在2......
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线......
<正> 发光学的研究目的主要有二:第一,创造新型光源,寻找以各种形式的能源获得发光的途径,以用于近代的照明,信息探测、传递及显示......
以白光发光二极管为代表的新型半导体光电器件正成为固态照明技术更新换代的重要候选。相比较于传统照明方式,发光二极管具有能效......
ZnO具有优异的光电性能和高达60meV的激子束缚能,被认为是实现激子基光电器件的优选材料。但是ZnO的p型掺杂这一重大的技术难题严......
