【摘 要】
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报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复
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报导了应用ＭＯＣＶＤ系统在半绝缘ＧａＡｓ和ｎ－ＧａＳｂ衬底上外延生长的非故意掺杂ＧａＳｂ外延层的特性。通过低温、变温光致发光和霍耳效应测定了ＧａＳｂ外延层的光学和电学性质。ＰＬ测量观察到两种主要的复合机制，Ｄ一Ａ对复合和束缚激子复合的发光，其峰值能量位置分别出现在７７５ｍｅＶ和８０３．７ｍｅＶ，束缚激子蜂（未分辨开的）的半宽度为１０．８ｍｅＶ。
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