抛光速率相关论文
集成电路（integrated circuit,IC）按照摩尔定律已经发展60余年,芯片内集成晶体管数量已经达到1011,最新的技术节点已经进入7nm阶段,......
硅通孔(TSV)技术是一种先进的封装技术,化学机械抛光(CMP)是集成电路TSV制作过程中的重要步骤之一,是可兼顾材料表面局部和全局平......
采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度......
随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何......
在化学机械抛光过程中,抛光液的组成对抛光速率和表面质量有重要影响。利用自制抛光液,研究了在过硫酸铵体系抛光液中不同阴离子(......
为了提高铜布线化学机械抛光效果,对其抛光工艺进行了研究.采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光,讨论了抛光压力、温度、......
研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一......
利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这......
研制成功国内第1台大面积CVD金刚石膜热铁板抛光机．它可以在10Pa真空条件下，加热到1 100℃；抛光台可以在0～10 r/min间实现无级调速，一次......
可循环使用的抛光液，能在硅晶片粗抛光应用条件下循环使用10次，且抛光速率，抛光均匀度和表面质量符合加工要求。......
调节自配抛光液的H 2O 2含量、pH值、抛光盘转速和抛光压力,通过电化学实验,探究单晶硅互抛抛光过程中抛光工艺参数对腐蚀电位、腐......
本文介绍的Cu-CMP实验中的磨料粒子是纳米硅溶胶(SiO2,20～30 nm).为得到高质量、高平整度的铜表面,采用SiO2溶胶抛光液对铜进行抛光......
随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光（CMP）工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一。分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面......
介绍了超大规模集成电路中Si02介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光中扮演的重要角色。通过单因素实验法，在低压力的实验......
对自主研发的多羟多胺络合剂（FA/O ）在硅通孔技术（Through-silicon-via,TSV）化学机械平坦化（chemical mechanical planarization,CMP）进......
针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以......
等离子体抛光技术是一种成本低、无污染、无废弃物的新兴超光滑表面加工方法,能够获得传统加工方法难以达到的处理效果,已经广泛应......
本文研究了腐蚀介质氨水、成膜剂铁氰化钾及磨粒γ-Al2O3浓度、抛光压力和抛光转速对铜化学-机械抛光速率的影响.解释了各影响因素......
铜化学机械抛光是近些年发展最快的一种工艺，铜碟形是铜化学机械抛光工艺中的主要问题之一。严重的碟形缺陷会造成产品良率的缺失，使......
为了提高铜布线化学机械抛光效果，对其抛光工艺进行了研究。采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铜布线进行抛光，讨论了抛光压力、温度、氧......
针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺，设计了Ta-W合金材料CMP抛光液。采用单因素法，试验改变抛光液内组份的含量对抛光速率......
将化学机械抛光(CMP)技术引入到镁合金片(MB2)的抛光中,打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段,用自制的抛光液对镁合......
目的研究具有催化活性的镍、钴金属粉末对单晶金刚石机械抛光的影响,以期获得低成本高效率的单晶金刚石抛光工艺。方法以高温高压......
随着集成电路器件特征尺寸的持续缩小,晶圆尺寸的不断增大,为了更有效的提高器件的使用寿命和可靠性,要求晶圆表面必须实现全局平......
随着GLSI的高度集成化和立体化,互连线的特征尺寸越来越小,对平坦化的要求越来越高,在多层铜布线的化学机械抛光(Chemical Mechani......
研究了新型碱性铜布线抛光液的化学作用。通过改变FA/O螯合剂以及氧化剂H2O2的体积分数,分析了不同体积分数的FA/O螯合剂和氧化剂H......
期刊
磨料的粒径分布严重影响蓝宝石抛光,传统的抛光模型无法说明粒径分布的作用效果。针对这一问题,以不同粒径磨料混合放大粒径分散性......
采用电化学方法,研究了SiO2浆料pH值、H2O2浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n型半导体单晶硅片(100)......
<正>随着超大规模集成电路的发展,特征尺寸由目前的22 nm逐渐减小至14 nm。为了克服由此引发的的一系列问题,铜互连结构发生了巨大......
研发了一种新型的碱性抛光液,用于提高Si晶圆的抛光速率以及循环使用时的高速率稳定性。分析了FA/OⅡ型螯合剂与KOH调节剂对Si晶圆......
研究了铜在抛光液中的电化学行为。结果表明,抛光液化学组成为1%HNO3+1%BTA+0.2%H2O2较适宜。研究了腐蚀介质硝酸、成膜剂苯并三唑......
<正> 随着电子工业的发展,中大规模集成电路对抛光片的质量要求愈来愈高,特别是表面效应型的MOS大规模集成电路对抛光片的质量要求......
因磨削工艺不同导致Ge单晶片表面粗糙度出现很大差异，并最终影响抛光速率、抛光片的表面质量及抛光片时间依赖性雾的形成。粗糙度大......
期刊
利用自制的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光,研究化学机械抛光过程中抛光压力、抛光液pH值、SiO2浓度、络合剂种类及其浓度等......
通过电化学和化学机械抛光（CMP）实验研究了紫外光及催化剂对GaN电化学特性及去除速率的影响。电化学实验结果表明,采用K2S2O8作为氧......
通过一系列实验研究了有机和无机pH值调节剂对Si片抛光速率的影响及其影响机理。使用有机碱调节抛光液的pH值,随着pH值的增大,Si片......
介绍了LOCOS隔离技术的原理,研究了应用于LOCOS工艺的反刻平坦化技术,通过调整刻蚀中反应气体流量等工艺参数,在CHF3流量50 mL/min......
对硬脆材料氮化镓(GaN)单晶的机械研磨和化学机械抛光(CMP)加工工艺进行了研究。在机械研磨工艺中,研究了不同材料的研磨盘和不同......
研究了氧化剂碘酸钾及抛光粒子CeO2的浓度、抛光转速和抛光压力对铜的化学机械抛光速率的影响,并初步解释了影响因素的机理.实验表......
在32 nm技术节点中,采用Ta/TaN作为Cu互连线的粘附扩散阻挡层。但是随着IC技术的不断发展,集成电路向着高集成度和高性能化方向发......
过渡金属氧化物材料氧化铪(Hf Ox)以其优异的性能而被广泛应用于微电子器件和光电子器件等领域,同时,相关的高性能器件对叠层材料......
Ⅱ-Ⅵ族半导体材料ZnO以其优异的性能在深紫外光电子、蓝光发光器件、激光器件、压电转换器和传感器等领域获得广泛应用,但常用的......
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为......
期刊
