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研究了铜在抛光液中的电化学行为。结果表明,抛光液化学组成为1%HNO3+1%BTA+0.2%H2O2较适宜。研究了腐蚀介质硝酸、成膜剂苯并三唑、H2O2、磨粒g-Al2O3的浓度、抛光压力及抛光转速对铜化学-机械抛光速率的影响,解释了各种因素的影响机理。
铜在苯并三唑抛光液中的抛光速率及其影响因素
【摘 要】
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研究了铜在抛光液中的电化学行为。结果表明,抛光液化学组成为1%HNO3+1%BTA+0.2%H2O2较适宜。研究了腐蚀介质硝酸、成膜剂苯并三唑、H2O2、磨粒g-Al2O3的浓度、抛光压力及抛
【机 构】
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中南大学化学化工学院,中南大学矿物工程系
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2002年07期
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