寄生参数相关论文
本文以电力电子混杂系统为研究对象,在现有信号混杂系统研究的基础上,对功率混杂系统的非线性问题分析与改进方法进行了深入研究。......
1965年随着摩尔定律的提出,集成电路的晶体管数目呈现指数型增长,这使得集成电路集成度不断提高,处理信息的速度和能力也越来越强,......
针对三相逆变器过冲电压导致绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的过压击穿和误导通问题,提出一种减小寄生参数的三相逆变器设计方案。首先建......
双有源桥（Dual Active Bridge,DAB）DC-DC变换器能够实现能量双向传输,且具有控制策略简单、传输效率高等优点,在新能源发电、储能和......
采用交错控制的三电平Buck变换器不仅降低了功率开关管的电压应力，同时减小了输出滤波器的大小，在大功率电力电子变换器系统中具有广......
开关电源作为目前电力电子设备必不可少的组成部分,其体积的大小决定了整个电子设备的体积,其质量的优劣又直接影响整个配套设备的......
液晶高分子聚合物（LCP）以其优异的微波毫米波特性,被广泛应用于高频多层电路板.在多层电路板结构中,为了实现不同层电子器件以及传输......
H桥单元作为中压级联系统的核心单元，掌握它的电磁干扰（Electromagnetic Interference，EMI）特性是准确评估级联系统电磁兼容性能的关键......
为减少碳化硅（silicon carbide，SiC）金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）的开关时间......
期刊
变换器设计过程中,金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关损耗计算是变换器散热设计和参数优化的理论依据之一。现有计算开关......
高性能电力电子技术是5G通信、航空航天、电动汽车和快速充电等新兴产业的系统核心,其核心电能变换器件的高频、高效和高耐压设计......
随着电力电子技术的发展,电力电子设备在医疗器械、工业制造以及消费等行业得到了广泛应用,对国民经济水平的提高具有重大意义。其......
学位
由于寄生参数的影响，SiC MOSFET应用于双向Buck/Boost变换器时会出现串扰现象，在高速开关过程中会产生额外损耗甚至发生误导通，影响变......
SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化......
IGBT是电力电子设备和电力系统主电路中常用的功率开关器件,将多个功率半导体芯片按照一定拓扑进行串并联之后封装为一体形成功率......
矩阵变压器已被证明是提高数据中心电源效率的有效方案。然而在高频下产生的寄生参数、交流电阻等将影响矩阵变压器的效率及工作性......
随着社会的发展,对能源的需求不断增大,人们对风能,太阳能等新型可再生能源进行了很多研究并投入了应用,但可再生能源的电源系统往......
采用常规的人体模型(Human Body Model,HBM)进行静电释放(Electro-Static Discharge,ESD)测试时往往容易受到寄生参数的影响,使得......
卫星以及空间站等航天器都需要电推进系统通过电能转换完成其姿态控制以及位置修正等任务。推进系统一般占据航天器总重要的10%～50%......
近年来,以SiC为代表的宽禁带半导体器件受到了各界的广泛关注并成为研究热点。其中,SiCMOSFET以其高压、高频及高温的特性成为高功......
学位
基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制宽带360~440 GHz分谐波混频器。详细描述二极管......
为提升器件电流等级,大功率IGBT往往由多个芯片与子单元并联组成。当芯片与子单元并联时,有效控制器件内部的均流效果非常重要。文......
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程......
本文以有源中点箝位型(Active Neutral Point Clamped, ANPC)三电平变换器为主要研究对象,就功率器件损耗分析、热设计和低损耗控......
随着等离子体在工业上的应用越来越广阔,对用于产生非平衡等离子体的脉冲电源的需求也越来越多。目前,脉冲电源的关键技术主要有脉......
随着开关电源功率等级的提高和开关频率的逐步提升,对电源可靠性的要求越来越高。仿真是开关电源从参数设计到实际样机之间的重要......
学位
在快速发展的电力电子技术的推动下,电动汽车已逐渐取代传统汽车,大大改善了环境的污染问题。在新能源汽车中,驱动系统是最主要的......
为有效评估换流回路的寄生参数对碳化硅MOSFET开关特性的影响,首先建立了考虑换流回路寄生参数的完整的碳化硅MOSFET开关暂态电路......
以IGBT为核心器件三电平变频调速系统具有更高的耐压特性,良好的运行特性,在大功率场合得到了广泛地应用。随着半导体器件的发展以......
双有源全桥DC-DC变换器作为现代电力电子变压器的核心器件,具有功率密度高、体积小、效率高以及易于直插式连接和替换的特点,它在......
学位
为减小化石燃料燃烧带来的环境污染,近几年纯电动汽车技术快速发展,市场占有率也越来越高。800V高压动力电池组在实现纯电动汽车超......
功率半导体器件是电力电子变换器中的重要组成部分,SiC器件的出现和应用进一步推动了电力电子变换器的发展,但SiC器件的高速开关特......
一种频率在100GHz10THz之间的电磁波被称作太赫兹波,因为其优越的特性,在医疗成像、环境科学、卫星通信等方面有着十分重要的学术......
作为一种应用广泛的升压型电力变换器,DC-DC Boost变换器的输出电压品质一直是制约其应用的关键问题。从电路本身而言,Boost变换器......
碳化硅和氮化镓功率器件凭借着高开关速度,低导通电阻等优异特性推动着电力电子变换器朝着高频高效方向发展。但碳化硅和氮化镓功......
构建了输出电压幅值为0~20 kV、脉冲重复频率为0.25~20 kHz的双极性高压脉冲电源实验平台,研究了变压器寄生参数与负载特性对输出......
功率器件工作在开关状态时,电压和电流信号具有较宽的频谱,不同频段的键合线寄生参数会相应发生变化,进而影响其传输特性。为量化......
本文对平面变压器的各种寄生参数进行了全面分析。首先在PCB平面变压器结构基础上，提出了等效电路模型。针对该电路模型，分别分析了......
随着微电子技术的发展,新型的功率半导体器件正在越来越广泛地应用于感应加热电源等功率变换设备中,并取得良好的效率。与此同时,......
随着科学技术的发展,传统的线性分析方法已经不能有效解决非线性问题,非线性动力学由此应运而生,主要包括三个方面：分岔、混沌、孤......
电源滤波器朝着小型化、高频化、集成化的趋势发展,因此电磁干扰问题越来越受到人们的关注。本文主要针对EMI电源滤波器的特性进行......
