外延膜相关论文
氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表,具有优异的光电特性,在紫外光电探测器、发光二极管、高电子迁移率晶体管、5G射......
学位
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延......
采用常压化学气相沉积(APCVD)方法在偏向晶向8的p型4H-SiC(0001)Si-面衬底上进行同质外延生长.霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外......
采用高分子辅助沉积法制备掺杂不同钐(Sm)含量的SmxNd1-xNiO3外延薄膜(钐掺杂量x=0.5,0.55,0.6)。X射线衍射(特征θ-2θ扫描、摇摆......
High quality chromium(Cr) doped three-dimensional topological insulator(TI) Sb_2Te_3 films are grown via molecular beam ......
应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了Ａｓ离子注入ＣｄＴｅＭＢＥ外延膜的热退火行为．发现随着退火温度（ＴＡ）升高至４４０℃，其晶格恢复和缺陷态消除得最完整，当ＴＡ高于......
应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间......
在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线......
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来......
我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积 (ECR PEMOCVE)技术在GaAs( 0 0 1 )衬底上外延生长立方GaN的过程中......
发明人员：成建波 杨开愚 饶海波 黄宗林 朱建斌 李军建 陈文斌 介绍了一种高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管及制作工......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0......
应用材料公司(AMI)与Soitec公司签订了一份战略协议,联合开发先进的绝缘体上锗(Ge)工艺以及有关的关键Ge基工艺,意在提高45nm以上......
Kyma Technologies公司改善了其GaN衬底产品质量并增加了GaN衬底类型。该公司最新开发的导电和半绝缘GaN衬底有10 mm×10 mm正方形......
研究了La:YIG的液相外延生长工艺。测量了在不同温度下生长的膜的铁磁共振线宽△H;测定了膜的化学组成和衬底与外延膜的晶格失配度......
近日,日本京都大学、东京电子、罗姆等宣布,使用“量产型SiC(碳化硅)外延膜生长试制装置”,确立对SiC晶圆进行大批量统一处理的技......
利用新改进的水平低压热壁CVD设备,改变生长时的压力和H2流速,在50mm的Si(100)和(111)衬底上获得了3C-SiC外延膜,并对外延膜的结构......
研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛......
用MOCVD技术生长GaN:Mg外延膜,在550～950℃温度范围内,对样品进行热退火,并进行室温Hall、光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,85......
采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长a-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对a-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。......
While a HCI impact on solid surface,the high density of electronic excitation produced by potential energy release of HC......
GaN-based materials have a great potential used in high-temperature,high-power and high frequency electronic devices suc......
研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生......
采用等离子增强原子层沉积技术于蓝宝石衬底上生长GaN薄膜,研究氮等离子体预处理衬底对薄膜结晶性能的影响。利用X射线衍射仪、扫......
期刊
本文叙述用常规粉末衍射仪精确测定单晶与单晶外延膜的点阵参数的一个新的简便方法.(衍射仪正反法).它跟测定单晶外延膜点阵参数的......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错......
The potential of the wide band gap semiconductor GaN and related materials for the realization of novel optoelectronic d......
本文报导了用稀土元素Gd置换Ga:YIG中的部分Y,初步解决了薄膜的开裂问题。找到了不开裂的组成区域,发现了两种同时存在的不同磁畴......
得到泡畴存贮器件用的高质量磁膜的第一步是制备合适的基片。基片材料既要求有高于氧化物单晶的平均完整性又要求具有无缺陷的表面......
详细探讨了多层膜反射光谱的理论计算.考虑了在实际光谱测量中光源有限相于长度对膜层和衬底结构样品的影响,提出了一种简易实用计......
通过拟合ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ（７－δ）（δ＝０．１，０．４，０．８）和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ７外延膜的室温飞秒瞬态反射谱，研究了其非平衡载流子的超快弛豫动力学，计算了电声耦合常数λ．发现随着氧含量的降低及用......
β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面......
报道了利用准分子脉冲激光淀积技术在(001)和(012)蓝宝石衬底上制备LiTaO_3光波导薄膜的实验研究。利用X光衍射和Raman光谱术鉴定......
用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻......
在波长λ＝６３２．８ｎｍ，入射功率约０．８ｍＷ的ＨｅＮｅ激光照射下，对ＴｌＢａ２Ｃａ２ＣｕＯ２（Ｔｌ２２１２）外延膜的光响应行为进行了实验研究．结果显示：在样品转变温度（Ｔｃ＝１０５．５Ｋ）附近，ＴｌＢａＣａＣｕＯ外延膜的光响应行为表现为辐......
在１２０Ｋ至４７０Ｋ的温区内，测量了脉冲激光沉积ＹＢａ２ＣｕＯ７－ｘ薄膜的正电子寿命的温度依赖关系．实验结果表明，除块材中存在的正电子深捕获中心外，超导外延膜中还存......
用ＮＨ３作氮源的ＧＳＭＢＥ方法在晶向为（０００１）的α－Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了非有意掺杂的单晶ＧａＮ外延膜，ＧａＮ膜呈Ｎ型导电，室温时的最高迁移率约为１２０ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），相应的非有意掺杂电子浓度为......
由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜（GaAs／Si）中会存在着界面失配形......
对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明，薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜完全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１１）衬底上织......
对于外延膜多尺度应变模型的求解,设计了一类代数多重网格方法,进而以该代数多重网格为预条件子,结合 共轭梯度法,得到一种预处理......
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射......
本文研究了真空退火对Nd0.7Sr0.3MnO3(NSMO)外延膜的结构和输运性的影响。X-射线衍射(XRD)和电阻率测量结果显示,随着退火温度的升......
