场极板相关论文
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出......
提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压.文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场......
此处主要对LDMOS栅漏电容（CGD）进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的......
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici，对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中，综合考虑了内场限环和场极板技......
设计出一种能与体硅标准低压CMOS工艺完全兼容的新型凹源HV-NMOS(High voltage NMOS)结构,在TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结......
研究了常规LEDMOS，带有两块多晶硅场极板LEDMOS以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDMOS表面电场分布情况，重点研究了多块场......
为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容，提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOs器件，给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA......
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法，并借助半导体器件专业软件Tsuprem-4和Medici，对截止频率ft与栅源电压Kgs和漏源电压Vds的......
借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深，沟道区的长度、浓度，场极板的长度对高压PLDMOS击穿电......
为了不增加器件成本，方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离，因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要......
随着功率集成电路飞速发展,功率半导体器件的研究与开发显得愈发重要。LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)是DMOS器件的一种横......
LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET)作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它......
在LDMOS中加入电场控制极板是一种有效的提高其击穿电压的方法，本文分析了PDP选址驱动芯片的LDMOS场极板对其漏击穿电压的影响，指出......
