反常霍尔效应相关论文
非磁/铁磁异质结构中存在很多有趣的演生现象，特别是，铂/铁磁异质结构中的反常霍尔效应是一个研究热点.本文采用脉冲激光沉积技术和......
反常能斯特效应与反常霍尔效应具有相同的物理根源,根据莫特关系可以将两者联系起来。相比于反常霍尔效应,反常能斯特效应对费米能......
反常霍尔效应及其热电关联效应,反常能斯特效应和反常热霍尔效应,自发现以来一直是凝聚态物理学中重要的研究分支。磁性拓扑材料中......
近些年来,二维（2D）超薄本征磁性材料其磁性可以被外部因素（比如电场、应力、掺杂等）很好的调控,有可能具有一些奇特的物理效应。同时,......
近年来,5G的普及使人们在信息化道路上迈出了崭新的一步,在综错复杂的信息网络中,对信息进行快速、稳定的存取成为了发展信息产业......
自旋电子学,是以电子的量子自由度（自旋）为主要研究对象,以凝聚态物质中的自旋输运现象为主要研究内容的一个新兴领域。1988年巨磁阻......
自从通过机械剥离得到单层石墨烯,近年来,二维材料由于其丰富可调控的性质和广泛的应用前景成为了人们的研究热点。例如层状过渡金......
高压科学技术是凝聚态物理研究的重要组成部分。随着近年来金刚石对顶砧技术的不断改进,稳态高压记录的不断突破,高压研究领域获得......
LaAlO3（LAO）和SrTiO3（STO）界面可以存在二维电子气,且表现出丰富的物理效应,如铁磁性、超导电性、可调的Rashba自旋轨道耦合和高效的自......
拓扑材料是近几年凝聚态物理领域的研究热点之一。根据电子结构的不同,拓扑电子材料可以分为拓扑绝缘体和拓扑半金属两大类。两者......
上个世纪80年代量子霍尔效应及相应各种新奇量子效应的发现开启了拓扑量子材料研究的新时代。由于其奇异的物性和巨大的应用前景成......
反常霍尔效应是最基本的电子输运性质之一,经过一百多年的研究,人们逐步建立起了内禀、斜散射和边跳三种微观机制。二十一世纪初,......
自旋电子器件和磁存储技术的高速发展,与不断深入的磁电阻和磁共振行为的研究息息相关。与电调控相比而言,磁场和电流驱动的方式不......
磁性斯格明子是一种拓扑保护的新型涡旋磁畴结构,表现出小尺寸、易被低电流驱动以及能被温度、磁场和电场等外场调控的特性,在未来......
磁性颗粒膜系统中存在的巨磁电阻效应、反常霍尔效应和巨霍尔效应等电输运现象,使其在磁传感器、磁探测器、高密度读写磁头以及磁......
随着电磁元件朝着微型化、薄膜化、集成化等方向发展,对材料在探测、传输和数据处理等方面的性能要求极大提高。单一材料已经无法......
Ni-Mn基Heusler铁磁形状记忆合金因其具备磁热效应、磁电阻效应、磁性形状记忆效应以及交换偏置等诸多性质,而受到了广泛的关注。......
近年来,纳米尺寸的铁磁金属薄膜和多铁复合薄膜倍受关注。本论文制备出了不同厚度的超薄Fe70Ga30(Fe-Ga)和Fe65Co35(Fe-Co)纳米薄......
热电效应包括塞贝克（Seebeck）效应和能斯特（Nernst）效应,能够敏锐地反应费米面的拓扑结构信息,在凝聚态科学领域被作为一个强有力的手......
石墨烯和碳纳米管具有许多优异的物理性质,是理想的纳米器件材料。随着碳基磁学的蓬勃发展,石墨烯和碳纳米管成为新一代电子器件的......
学位
随着对自旋波电子器件研究的不断深入,近年来具有极低阻尼系数的钇铁石榴石薄膜材料成为研究的热点。研究结果表明,基于具有垂直磁......
自1983年发现第一个半金属材料NiMnSb以来,半金属Heusler合金得到了越来越多的关注。这种材料在费米能级附近的电子结构具有独特性......
我们利用格林函数方法研究了由磁性材料邻近耦合效应诱导的具有Rashba自旋轨道耦合以及本征自旋轨道耦合的二维六角晶格的长程Rude......
NiCo2O4作为混合价态占位的过渡金属氧化物,具有尖晶石结构。由于其独特的物理和化学性质,可广泛应用于光电转换、含能材料包括太......
反常霍尔效应(AHE)多年来吸引了人们的广泛关注,理论上,铁磁体中的AHE有公认的三种可能的来源,包括了与杂质散射有关的外禀机制和......
尽管反常霍尔效应现象已经被发现有一百多年,铁磁材料中的反常霍尔效应的来源问题仍然困扰着人们。通常情况下,在线性的反铁磁材料......
本论文的内容涉及对三维拓扑绝缘体(TI)薄膜的电输运性质和CoFeB/MgO多层膜中自旋轨道矩效应(SOT)的研究。我们利用磁控溅射的方法......
拓扑材料作为当今凝聚态物理领域热门的一种新型量子功能材料,在最近几年受到了越来越广泛地关注,并被拿来广泛研究,例如拓扑绝缘......
随着科技的发展,人们对于电子器件尺寸和功能的要求越来越高。反常霍尔效应(Anomalous Hall Effect,AHE)作为自旋电子学中的主要效......
近年来,基于铁磁材料的自旋电子器件面临进一步降低功耗、增加存储密度以及提高运算速度等新的挑战,设计并开发出满足下一代自旋电......
本文主要介绍磁性Weyl半金属Zr1-xNbxCo2Sn的单晶生长、磁性、输运性质的研究以及若干拓扑材料的单晶生长、低温输运测量。论文主......
自旋电子学的研究和探索为基础科学和信息产业的可持续发展提供了新型动力。其中,包括铁磁性金属和反铁磁金属在内的常规磁性金属......
沉浸于量子世界十余载，他既探索如何同量子世界交流，又保持同外界、学界的对话，他是与时间赛跑的物理学家、量子反常霍尔效应的发现者......
本文采用共溅射的方法在玻璃基底上制备了一系列不同金属体积分数x(0.48≤x≤1.00)的Ni-SiO2颗粒膜；采用单靶射频溅射的方法制备了......
学位
自旋电子学是一门新兴的学科,它的蓬勃发展极大地推动了现代信息技术的进步。在传统的半导体器件中,人们只利用了其电荷属性,而在......
反常霍尔效应的发现已有近百年的历史,但其产生的原因至今仍未有定论。Fe_3O_4为磁性半金属材料,其导电机制为电子的跳跃传导,因此......
近年来,具有垂直磁各向异性的磁性纳米结构由于其优秀的特性和广泛的应用领域,逐渐成为国内外研究小组的研究热点。例如,近期有研......
纳米铁磁金属薄膜,近年来不再限于宏观的、静态的物质磁性,而是随着研究的不断深入,研究方向逐渐拓展到运动的、单电子的自旋变化......
以2007年Albert Fert和Peter Grunberger获得诺贝尔物理学奖金为标志，自旋电子学已经成为当前物理学研究的前沿和热点。这个以凝聚......
近年来，自旋电子学的蓬勃发展要求人们对自旋相关的输运现象有更彻底的理解，使得诸如反常霍尔效应等长年悬而未决的问题吸引了越来越......
反常霍尔效应(Anomalous Hall Effect，AHE)作为探究和表征铁磁性材料中巡游电子输运特性的重要手段和工具，对于整个稀磁半导体材料中......
随着信息技术的发展和人们对存储技术要求的不断提高，研发新型的存储器件就顺其自然地成为了当今科研的一个热点课题。如何制备出满......
在现代信息技术中，信息处理是通过控制电子的电荷来实现的，而信息(数据)的存储利用的则是电子的自旋。如果能够同时利用电子的电荷和......
1988年，Albert Fert和Peter Grünberg在磁性多层膜中发现巨磁电阻效应，从此拉开了自旋电子学(spintronics)的大幕。往后20多年，在自......
由清华大学薛其坤院士领衔,清华大学、中科院物理所和斯坦福大学的研究人员联合组成的团队在量子反常霍尔效应研究中取得重大突破,......
霍尔效应家族自1879年发展至今已有一个多世纪,从1879年的霍尔效应到2013年的反常量子霍尔效应的实验发现,霍尔效应家族理论和实验......
“这个研究成果是从中国实验室里，第一次发表出来了诺贝尔物理奖级别的论文，这不仅是清华大学、中科院的喜事，也是整个国家发展中喜事......
