Ni-Mn基Heusler铁磁形状记忆合金因其具备磁热效应、磁电阻效应、磁性形状记忆效应以及交换偏置等诸多性质,而受到了广泛的关注。本文采用高真空电弧熔炼炉制备了Mn_46.5Ni₄₃Sn_10.5-xAl_x（x=0.5,1.5,2.5,at%）系列合金,主要研究了Al替代Sn对其马氏体转变、磁性能以及磁热性能的影响,并初步探讨了影响原因。通过直流磁控溅射制备了在Mg O（001）晶面上外延生长的Ni-Mn-Ga薄膜,对其微观结构、磁性能、磁电阻以及反常霍尔效应进行了研究与讨论。为进一步揭示Ni-Mn-Ga薄膜中的反常霍尔效应进行了有益的尝试。具体内容如下:（1）Mn_46.5Ni₄₃Sn_10.5-xAl_x（x=0.5,1.5,2.5）合金中,随着Al含量的增加,马氏体转变温度迅速升高,居里温度明显降低。同时Al含量的增加会使得合金的（35）M明显减小。马氏体相变温度受不同磁场的影响,随着磁场的增加,马氏体转变温度向较低温度方向移动。（2）通过计算不同Al含量合金的磁熵变发现,当x=0.5时所获得磁熵变最大,最大磁熵变出现在马氏体转变过程中。随着外加磁场的增大,磁熵变增大。在外加磁场为10 k Oe,20 k Oe和30 k Oe时,磁熵变最大值分别约为11.4 J/kg K,24.5 J/kg K和37.7J/kg K。同时计算了有效制冷能力,通过对比得出Mn_46.5Ni₄₃Sn₁₀Al_0.5合金在30 k Oe外场下的有效制冷能力最大,可以达到53.6 J/kg。有效制冷能力的高低不仅与磁熵变有关系,同样与滞后损耗和相变温区有关系。通过Al取代Sn可以有效拓宽Mn_46.5Ni₄₃Sn_10.5-xAl_x合金的工作温区。（3）Ni_46.7Mn_31.7Ga_21.6和Ni_47.8Mn_30.8Ga_21.4（at%）薄膜分别具有奥氏体相和7M马氏体板条的微观结构。在加热和冷却过程中都具有马氏体转变,薄膜表现出明显的由顺磁奥氏体相和铁磁马氏体相之间的磁结构的居里转变。同时,Ni_47.8Mn_30.8Ga_21.4薄膜相较于Ni_46.7Mn_31.7Ga_21.6薄膜具有更低的矫顽力,低矫顽力的实现有助于减少相转变循环期间的磁滞损耗。（4）30 k Oe的外磁场下对于Ni_46.7Mn_31.7Ga_21.6和Ni_47.8Mn_30.8Ga_21.4薄膜磁电阻的值在马氏体转变期间分别约为-0.6%和-0.8%,而在磁性转变的居里点附近的磁电阻分别约为-2.0%和-2.9%。负的磁电阻的起源主要是由于自旋相关散射的减少。（5）通过对Ni_47.8Mn_30.8Ga_21.4薄膜的反常霍尔效应测量显示,薄膜中测量的霍尔电阻率主要由反常霍尔效应决定。而反常霍尔效应来源于自旋-轨道耦合的相互作用,只是由于偏斜散射造成的。为进一步揭示Ni-Mn-Ga薄膜中的反常霍尔效应提供了实验和理论基础。