区熔硅单晶相关论文
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,......
采用气相掺杂(GD)与中子嬗变掺杂(NTD)相结合的掺杂方法制备FZ硅单晶,实验及分析结果表明,该方法显著改善了气相掺杂区熔硅单晶的......
本文主要介绍了Φ6″区熔硅单晶无位错、无旋涡缺陷的生长工艺及热系统的设计,并对大直径区熔单晶生长过程的几个关键性问题进行了......
本文分析了影响超高阻区熔硅单晶质量的各种因素,提出采用减压流氩法并有针对性地采用专用线圈和独特的防电离技术生长Φ4″超高阻......
该文介绍了一种在区熔硅单晶中掺镓的方法，掺镓量的计算以及单晶的制备工艺。还叙述了掺镓样品辐照试验情况及试验结果。......
对由区熔法制备的捅稼、掺硼Ｐ型硅单晶进行了中子、γ复合场及γ辐照实验，并将辐照前、后样品的电学参数变化进行了对比。结果表明，在......
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶,设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺,该工艺技术是具有自主知识产......
天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平，并使之形成......
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工......
由南玻集团旗下宜昌南玻硅材料有限公司送检的区熔硅单晶产品，日前经过工信部专用材料质量监督检测中心的检验，N型电阻率达到1425Ω&......
在邓小平同志建设有中国特色的社会主义市场经济理论指导下,伟大祖国在政治、经济和科技等领域都取得了举世瞩目的成就。我们金鑫......
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一，线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对......
环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权......
新型区熔硅单晶北京有色金属研究院成功地研制出φ１００ｍｍＮ＜１１１＞ＮＴＤ区熔硅单晶，它是用于制做高电压、大电流功率器件的一种新型材料。晶体直径φ１００ｍｍ；电阻......
在人类社会的第三次技术革命中,以电子信息产业为代表的高科技产业异军突起,在整个国民经济中占据越来越重要的地位,并逐渐成为整......
区熔(FZ)硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,产量大约占整个硅片市场6%～8%。高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整......
一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛......
期刊
气相掺杂法因其简易灵活、生产周期短、成本较低的优点成为生产区熔硅单晶重要的辅助方法。本文根据区熔（FZ）硅单晶气相掺杂原理，结合......
