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采用气相掺杂(GD)与中子嬗变掺杂(NTD)相结合的掺杂方法制备FZ硅单晶,实验及分析结果表明,该方法显著改善了气相掺杂区熔硅单晶的径向电阻率不均匀度(RRV),降低了FZNTD单晶的生产成本.
气相掺杂NTD区熔硅单晶的研制
【摘 要】
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采用气相掺杂(GD)与中子嬗变掺杂(NTD)相结合的掺杂方法制备FZ硅单晶,实验及分析结果表明,该方法显著改善了气相掺杂区熔硅单晶的径向电阻率不均匀度(RRV),降低了FZNTD单晶的
【机 构】
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环欧半导体材料技术有限公司(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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