共振隧穿二极管相关论文
采用分子束外延技术制备了基于共振隧穿二极管的探测器样品。为提高探测响应度，探测器采用蝶形天线增强太赫兹电场强度，并以0.2 THz......
针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行......
随着5G时代的到来,毫米波/亚毫米波在无线通信领域得到了广泛的应用,作为频率更高的THz波肩负着未来通信发展的重任。THz辐射源是......
太赫兹技术是一种新兴科学技术,因其在医学、检测、通信、雷达等领域的应用而受到广泛关注。在众多太赫兹源中,共振隧穿二极管因其......
将微电子器件与光电子器件集成在一起的光电集成电路(OEIC)同时具有光探测、接收与电信号逻辑控制的功能,并且尺寸小、性能高,因而......
随着集成度的提高,半导体微电子器件的尺寸持续缩小,逐渐逼近其物理极限,开发新型微电子器件迫在眉睫。氧化物种类丰富,电学性质涵......
该文研究了共振隧穿二极管(RTD)电流电压曲线数值计算方法.提出了一种基于黄金分割和二分法搜寻方法的二维积分算法,用该算法能较......
共振隧穿二极管(RTD)是一种基于量子隧穿现象的两端负阻纳米电子器件，它以其特有的高频，高速，负阻等优势特点成为了近年来微电子器件......
在系统细致分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,确立了RTD材料结构的设计原则和设计方法,并对以SI-GaAs为衬底的RTD分......
共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件。采用超高真空外延技术,以p型重掺......
对由共振隧穿二极管(RTD)构成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)电路进行了详细地研究与分析,并结合实际RTD的特性用PSPICE进行了MOB......
设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计......
为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限，为更高灵敏度、更低功耗的微／纳机电压力传感器的设计提供理论、工艺及实验依据，首次设计......
RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性，使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着重要的应用。首先对RTD与......
用紧束缚能带方法计算双势垒结构GaAs／Ga1－xAlxAs／GaAs和InAs／GaSb／AlSb的电子、空穴电流密度，对计算结果进行分析，并对其结果在工艺设计......
首先采用基于物理参数的I-V方程RTD模型，利用Matlab软件对300K下的共振隧穿二极管（RTD）I-V特性数据拟合，建立一定温度下的物理参数I-V......
介绍了共振隧穿效应，并在此基础上利用共振隧穿二极管（RTD）设计了共振隧穿压阻式的微加速度传感器实验检测方案。对所设计的微加速度......
首次提出一种基于共振隧穿二极管的蔡氏电路。利用共振隧穿二极管（RTD）的负微分电阻特性，采用驱动点特性合成的方法，实现了蔡氏电路中......
利用Silvaco软件对Al0.2Ga0.8N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真,重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流......
建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,......
对作者研制的RTD进行了I-V特性测量,并重点分析了:(1)I-V特性的湿度效应;(2)负阻区"表观正阻"现象;(3)用负阻值估算开关时间.以上......
建立了用于电路模拟的共振隧穿二极管交流小信号模型,并利用PSPICE电路模拟软件着重模拟分析了其交流特性及其微带振荡器的特性,模......
在深入分析共振隧穿二极管(RTD)开关前后内阻变化和RTD串联组合中不同RTD电压分布随总偏压变化的基础上,深化了"遏止(Quenching)"......
纳米电子器件RTD与CMOS电路结合，这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点，而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性......
为了研究器件参数与材料结构的关系，设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺，研制出三种RTD器件，并测量了它......
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的......
优化设计了GaAs／InGaAs／A1As双势垒异质结构，采用台面工艺实现了RTD的器件制备，在3～350K温度范围内对器件的直流特性进行了测试分析。实......
用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同，变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性......
共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode—RTD)本身所具有的负阻抗(Negative Differential Resistance—NDR)特性使其成为天然的......
用HP8510(C)网络分析仪测量了A1As／InGaAs／AlAs共振隧穿二极管(RTD)的散射参数，通过曲线拟合提取了等效电路参数，估算了RTD的开关时间，......
应用非平衡格林函数方法对共振隧穿二极管(RTD)内部的载流子分布和势场情形进行了研究,给出了应用该模型计算AlGaAs/GaAs/AlGaAs的......
在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上，研究和分析了分立器件的制作工艺，给出了分立器件的制作工艺参数．利......
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面......
报道了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）与金属-半导体-金属光电探测器（MSM PD）单片集成的两种光电集成电路，并在窒温条件下分别测试了RTD器件......
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得......
介绍了一种基于共振隧穿二极管（RTD）和高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片集成电路．采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结......
报道了共振隧穿二极管（RTD）在压力下的弛豫振荡特性．采用Pspice8．0软件仿真并设计了振荡电路，测得其振荡频率达200kHz．在（100）半绝缘（SI）GaAs......
利用共振隧穿二极管（RTD）的负微分电阻特性,采用驱动点特性合成的方法,实现了蔡氏电路中的分段线性电阻,通过一组参数的选取,进而实......
在半绝缘的50nm InP衬底上采用分子束外延的方法生长了RTD与HEMT的集成材料结构.RTD室温下峰谷电流比最高达到18.39,阻性截止频率......
在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs／GaAs／In0.1Ga0．9As／GaAs／AlAs双势垒共振隧穿二极管，在GaAs层中加入In0.1Ga0．9As层用以降低势垒两边的势阱......
共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒......
采用离子注入方法制作了一种新型平面共振隧穿二极管（RTD），通过离子注入将器件之间进行隔离，避免了传统台面型RTD中采用的台面刻蚀所带......
设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且......
介绍了采用3种测量GaAs基RTD器件的串联电阻参数的方法：温度特性法、外加电阻法和电桥法．研究发现，不同的测试手段，得到的串联电阻值存......
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管（RTD）的研制过程.衬底片选用（001）半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延......
表观正阻是RTDI-V特性上峰值电压¨大于谷值电压Vv的现象。以前的观念认为它来源于RTD和其负载电阻凡构成的锁定单元，但未阐明......
本文介绍了量子效应器件的定义、分类、特点、工作原理、特性、制造方法和应用.还介绍了国内研制量子效应器件的动态和成果.......
