一种新材料结构的RTD器件的设计及实现

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【摘要】

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设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且成功地制作了相应的RTD器件．在室温下，测试了R

【作者】

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王建林王良臣曾一平刘忠立杨富华白云霞

【机构】

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中国科学院半导体研究所微电子研发中心,中国科学院半导体研究所光电子研发中心,中国科学院半导体研究所新材料部,中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2005年1期

【关键词】

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共振隧穿二极管量子效应直流特性 resonant tunneling diodes quantum effect DC characterization

【基金项目】

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国家重点基础研究专项经费 (批准号 :G0 0 1CB3 0 95 ),,中国科学院资助项目~~

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设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且成功地制作了相应的RTD器件．在室温下，测试了RTD器件的直流特性，计算了RTD器件的峰谷电流比和可资电流密度．在分析器件特性的基础上，指出调整材料结构和优化工艺参数将进一步提高RTD器件的性能．

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