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用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同，变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线，用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比，设计并研制了两种发射极面积的RTD器件，经测量发现，发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析，为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。