共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yalaso_wind

【摘要】

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用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达

【作者】

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张磊杨瑞霞武一宾商耀辉高金环

【机构】

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河北工业大学,中国电子科技集团公司第十三研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2007年5期

【关键词】

：

共振隧穿二极管 I-V特性曲线峰谷电流比负微分电阻 resonant tunneling diode I-V characteristics peak

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用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达到36.8kA/cm^2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.

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