光电晶体管相关论文
二维材料物性奇特,在催化、能源储存和转换领域、微电子领域有着巨大的科学研究、工业应用以及经济价值。本论文立足于二维材料研......
有机单晶光电晶体管具有高增益、低噪声等优势,在弱光探测、光存储、图像传感等领域有着广泛的应用前景。目前,有机单晶光电晶体管......
二维半导体材料的出现为研发可穿戴、轻便化、高性能、宽波段探测的光电子设备带来重要机遇。二维α-In2Se3是一种同时具有面内、......
二维材料具有许多独特且优异的物理化学性质,但原子级的厚度限制了这类材料对光的吸收截面,成为阻碍其应用于光电子器件的关键问题......
二维半导体材料由于具备优异的电子和光电子特性,被认为是最有可能替代硅基材料的新一代材料。硒化铟（In2Se3）是一种具有结晶多态性......
目前硅基芯片技术的发展逐渐进入了瓶颈时期,逻辑密度逐渐趋近于物理极限,并且由于短沟道效应和微纳加工技术的限制,“摩尔定律”......
全无机铅卤钙钛矿量子点因为同时具有钙钛矿材料优异的光吸收性能、低温的合成制备工艺和随卤素阴离子可变带隙的特点,以及胶体量......
深紫外探测技术因其空间背底噪声低、灵敏度高等特点而在导弹预警与制导、保密空间通讯、紫外成像、火焰探测和臭氧空洞检测等领域......
光电探测器可以捕获光信号并将其转换为电信号是现代成像和通信应用的基本设备。随着光敏材料和集成技术的发展,光电探测器的功能......
碳化硅(SiC)由于禁带较宽，对可见光和近红外光几乎没有吸收，因此一般只能用来制作紫外光探测器。国内外关于SiC基紫外光探测器的报道......
提出了一种具有穿通基区的Si双极晶体管光探测器。通过优化器件结构参数，使基区在工作时完全耗尽，从而得到大的光增益和小的噪声电流......
现代光学耦合器的核心是输入端的LED和输出端的光电探测器.它们被绝缘的光传导介质隔开.光电探测器可以是光电晶体管,可以是带有晶......
光耦合器是一种信号隔离方法,得到了长期应用.光耦合器主要由三个功能部分组成,一、将电信号转换成红外光信号的发光LED;二、接收......
In2O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限......
期刊
宾夕法尼亚、MALVERN-2011年12月20日-日前,Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布,发布了6款低输入电流并带有光电晶体......
采用光电二极管及光电晶体管的光源感测技术约发明于20世纪50年代。随着首个光传感器的出现,此类组件也逐渐在商业及工业应用领域......
在汽车透射式传感器的发展过程中,从最初的前三叠纪到侏罗纪,以及随后的第一代~第五代,无论是封装还是检测形式都发生了很大变化。......
采用锗材料研制出了工作在1.55μm波长的全离子注入光电晶体管.选用(120keV,2.5×1012cm-2)+(260keV,5×1012cm-2)的硼注......
基于非等温能量传输模型,利用TCAD半导体器件仿真软件对红外光电晶体管外延层电阻率、基区表面浓度和基区宽度参数进行优化设计。......
近年来随着紫外探测技术的快速发展,其在火焰探测、导弹预警、紫外通信和生物医药检测等方面的应用变得越来越广泛。Ⅲ族氮化物是......
一年以前，欧盟的RoHS（限制使用某些有害物质指令）开始正式实施。此指令禁止在欧盟市场上出售含有超标铅、镉、汞、六价铬、多溴化联二......
VishayIntertechnoIogy推出具有低输入电流和光电晶体管输出的光耦，VOM617A和VOM618A。该系列具有1mA（VOM618A）和5mA（VOM617A）的低输入......
飞兆半导体公司推出FODM8801光耦合器，该器件是OptoHiT系列高温光电晶体管光耦合器的成员。这些器件使用飞兆半导体专有的OPTOPLANA......
新的VOM617A和VOM618A系列具有40％～600％共9种电流传输比（CTR）范围，为设计者提供了更高的灵活性。......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
针对通常研究中普遍将研究重点集中在如何提高光电探测器受光区域的光电转换性能上而忽略了非光照区域的现状,从光电晶体管的非光......
二硫化钼（MoS 2）优异的理化性能在光电晶体管领域的应用具有极大潜力。文中研究了化学气相沉积法（CVD）法生长的MoS 2薄膜制备的光电晶......
本文介绍长波长pin光电二极管、APD雪崩光电二极管和HPT’S光电晶体管目前水平,并对这三种器件的接收灵敏度进行比较。pin-FET组合......
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率（FSRV）、光强（Pin）及光照基区横向宽度（SBL）的情况下，硅NPN......
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响。仿真结果表......
如今，短距通信的带宽需求越来越高，电互连已成为制约通信系统整体性能的瓶颈，光互连能够有效地提升传输带宽，但受制于其高昂的成本，其在......
日本一家公司向市场投放了3个类型6个品种的光电传感器,即OS5501激励型光电传感器、OS2202反射型光电传感器和OS3601、3501、3401......
有机半导体材料由于柔韧性好、可溶液法加工的特点以及在大面积柔性电子电路中的潜在应用,备受广大电子学领域研究者的青睐。随着......
光电探测是获取光信息的重要手段,在武器装备、安全防护、信息通讯、医疗诊断以及家庭娱乐等领域都有重要应用。然而,现有的商用光......
二维过渡金属硫化物族材料-二硫化钼（MoS2）因具有独特的层状调控带隙（1.21.8 eV）,静电耦合作用和强的可见光吸收性能,而成为构建光电晶......
纳米材料因具有超越体相材料的优异物理化学性能，使其在材料科学研究和器件应用中有着巨大的潜力，现已成为当今材料科学领域的研究热......
<正> 要使机器人的机械手同人手一样灵活的抓取物品。就需要使它具有触觉,以便确定它们是否抓着了什么东西和何时抓着东西。除了要......
半导体纳米线以其独特的结构特征和新颖的物理特性成为当前半导体光电子领域的研究热点。InAs纳米线具有较窄的直接带隙和极高的电......
有机纳米线是制备高性能微纳光电晶体管的一种应用前景非常广泛的材料。在一维有序纳米结构中,光生电荷的转移可以增强载流子的分......
本文介绍了一种基于0.5μm标准CMOS制造工艺的NPN型光电晶体管,即高响应率宽响应范围硅光电晶体管。该器件是由两个基区长度不同的......
为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内，使其能够用于光通信领域，或是作为光电转换器件使用......
拐弯斜滑道下料装置可以设置专用驱动装置以改变工件运动方向，从而提高生产效率，但却增加设备初置费用．在无该装置条件下顺利下料并在......
基于IBM7WL标准0．18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管，利用器件仿真工具ATLAS对......
