光刻设备相关论文
The technologies of poto and laser lithography are widely used in IC production of different complexity,in semiconductor......
文章讨论了ＭＪＢ３ＵＶ３００型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进，消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用，实现了边缘整齐陡直、０．４μｍ条宽的光刻......
快速制模快速制模法可理解为三维形体模型直接从计算机数据中产生。这些三维立体模型的数据用计算技术以层向切割。这些层面在一种......
Ｅｅ－ＢＥＳ－４０光栅扫描电子束曝光机全部实现自动控制，为用户操作带来极大方便。本文简要论述该机的构成及调试中遇到的问题。重点论述真空自动化......
极限深紫外线光刻制作器件成功据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，桑地亚国家实验室的研究人员已用极限深紫外光光刻技术制造出可工作的微电子器件，该器......
紫外光学在光刻方面的巨大作用随着光刻变成信息时代的“铣床”，允许更短波长通过的光学技术现在似乎成了继续改善性能的最有希望的......
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜......
用干涉光刻制作新型显示元件劳仑斯·里弗莫尔国家实验室的研究人员正用光干涉光刻而不用掩模制作微孔或微点列阵。这种形成微小组......
Ｓｔｅｐｐｅｒ领域的欧洲劲旅———ＡＳＭＬ公司荷兰的ＡＳＭＬ光刻设备公司，创建于１９８４年，其前身为最早（１９７３年）在世界上设计、开发了第一台片子步进机（Ｓｔｅｐｐｅｒ）雏形的荷兰Ｐｈｉｌｉｐｓ公司。它是......
根据斯坦福决策中心于10月份出版的市场分析和工业报告，在三年之内，薄膜晶体管液晶显示屏市场将快速形成，使光刻设备市场规模增大一倍......
立体光刻工艺是最常用的快速制模法。其依据是开发人员在计算机辅助设计系统内的数字绘图板上产生的数字。根据计算机给出的图解数......
国外光刻设备集锦ＰＡＳ５５００／５００型ＤＵＶ步进扫描光刻系统位于美国亚利桑那州坦佩市的ＡＳＭＬ子公司１９９７年初推出ＰＡＳ５５００／５００型步进扫描式光刻系统，拥有一个可变数值孔径＄Ｘ投影透......
讨论了１ ｋ Ｗ 超高压汞灯电控系统的功率转换、恒功率闭环控制技术。
The power conversion and constant power closed-loop contro......
主要介绍一种光刻机投影物镜温度补偿控制的原理及控制算法。根据系统结构、对象特性和过程指标要求，采用了一种智能型线性－模糊控制......
硅技术的极限＠ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ硅技术的极限ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ晶体管的发明已有５０年的历史。这种技术发展到今天，能在几个平方厘米的单个硅芯片上装有多达１０亿个晶体管，该技......
极紫外光刻最有可能成为下世纪初批量生产线宽小于 0 1μm集成电路的技术 ,倍受世界各国 ,尤其是美国和日本两个集成电路生产大国......
专家论坛 期 页开发ＳＯＣ面临的问题的发展展望于宗光 一 (1)………………………………………………………………………………硅......
快速迭层 ( QL)技术是 L ight Sculping公司于 1 999年提出的。该公司推出 LSI1 2 1 2型快速原型 ( RP)系统 ,它能瞬间固化整层树......
国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法......
每月都会冒出新的DFM工具公司,很难为65nm工艺做出选择。但在65nm工艺节点方面的三家顶级代工厂已经代你做了一些选择工作。DFM是......
在过去的几年中,ASML公司以创新的浸没式技术引领着光刻设备市场,又一次刷新了半导体制造的路线图。通过对浸没式光刻技术的再现和......
随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形,想以此作为拓展水浸式光学光刻强有力......
据EE Times报道,光刻设备制造商Nanonex Corp.的创始人Stephen Chou日前在普林斯顿大学内发明了一种新的方法,简化了纳米压印光刻......
全球领先的微电子制造表面处理和显微光刻设备供应商FSI国际有限公司,日前宣布再次收到POLARIS~显微光刻系统订单,该订单来自一......
在32nm技术节点以下时,尽管极紫外(EUV)光刻技术已被视为主流的光刻生产技术解决方案,但是如何研发一套可靠、高性能EUV光源系统仍......
材料美在柔性基底上成功印制出高密度透明纳米管晶体管晶格南加州大学的科研人员在柔性基底上成功印制出高密度透明纳米管晶体管晶......
全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML近期披露说,他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型,Intel、三星电子、台积......
光刻设备的分辨率越来越高，以满足集成电路特征尺寸不断缩小的要求。根据瑞利判据，可以通过缩小曝光波长和工艺因子、增大数值孔径来......
进入90年代后,全球分步投影光刻机(Stepper)市场便逐渐由 Nikon、ASML、SVGL 和Ultratech 几家公司所垄断。特别是进入90年代中后......
随着我国微电子技术的飞速发展,要求研制分辨率高、工作视场大的光刻设备。利用双球面反射系统的环带成象,辅之以机械的移动扫描,......
本文叙述我所研制的轮廓光电自动调焦的原理。实验证明:移动范围在±10μm时,重复精度为±0.5μm;大于±10μm 时,重复精度为±1μ......
本文报道了一种用空间滤波改善光管式光学均匀性的技术,该技术使用空间滤波器滤除入射光束中光场突变部分,提高了光管式光学均匀器......
IBM日前宣布了能够支持22 nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后......
:您从事物理学、光学领域教学和科研工作已有27年,期间完成了多个国内外项目,请您介绍一下取得的研究成果。李艳秋:这些年我主要从......
光刻伺服盘系统作为新一代的磁盘伺服定位技术研究成功,通过检测实验,其质量已达到设计要求.
As a new generation of disk servo......
据美刊《电子封装与生产》1980年20卷12期报道,中国将于1982年4月15日至24日在首都北京展览馆举行一次时新的国际半导体和电子产......
我们应用的各种制版、光刻设备,其目的不外乎将各种掩模图形复制到基片上去。其常用的复制方法,我国目前仍采用光学曝光。无视这......
本文叙述了12GHz低噪声GaAs MESFET的设计和制造.用普通光刻技术制成了高性能GaAs MESFET.在12GHz下测得器件最小噪声系数为1.4dB,......
在光刻设备中,掩模的定位误差会直接影响光刻精度,单掩模装置手动调换式是如此,多掩模自动调换也是如此。为了提高掩模寿命,保证......
世界上很多半导体器件制造厂广泛使用的1:1扫描投影光刻机已成为一种主要的光刻设备。但是,随着以256K 动态 RAM 为代表的真正超 ......
