俄歇电子能谱相关论文
铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标。俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路......
本文利用MonteCarlo方法模拟了俄歇电子能谱中信号的产生和发射过程，从而对定量俄歇电子能谱分析中的重要参数——背散射因子作......
铁氧体磁性材料，由于它具有特殊的磁性和电子结构，被广泛应用于许多领域。近年来，为了提升铁氧体材料的物理性质，又掀起一股研究铁氧体......
本论文采用直流磁控溅射，以Ar、Ar与CH4或Ar与N2为工作气体溅射高纯石墨靶材制备了DLC及DLC：N薄膜。通过改变沉积基体的温度，溅射功率......
薄膜材料在现代材料技术中应用广泛。光学镀膜技术中,经常在特定的衬底上沉积一层薄膜,可以改善材料的物理化学性质。许多工业和技......
利用直流磁控反应溅射法在 Al基底上制备了 Zr N2 及 Ti多层薄膜。利用扫描俄歇微探针的深度剖析和线形分析技术研究了真空热处理......
十八烷基胺(ODA)应用于热力设备停用保护技术在国外开发较早[1-3],国内电厂这二年来应用该技术也日益增多,但由于基础研究做得较少......
碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心......
通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了......
采用阶跃式 Ge H4 流量增加和温度降低的方法 ,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的 Si Ge缓冲层 ,并在其上生长出......
对TU48碳钢在不同溶解氧浓度的水溶液中进行了低周腐蚀疲劳,结合俄歇电子能谱(AES)和Mossbauer谱分析其表面的腐蚀产物.结果表明,......
利用XIS的Cls携上峰,X线激发俄歇线形,XPS价带谱以及俄歇电子能谱的CKLL线形研究了几种碳材料的化学状态和电子结构.研究结果表明:......
为使俄歇电子能谱有效地用于分析氧化物,引入环境俄歇电子能谱方法.对于消除入射电子束对氧化物表面的损伤-包括荷电现象和氧元素......
分别用 ＸＰＳ和 ＡＥＳ分析了ＩＴＯ薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化和深度分布情况．研究表明，退火前后Ｓｎ和Ｉｎ处于各自相同的化学状态中．Ｏ以氧充足和氧......
用XPS和AES电子能谱的方法对等离子体辅助分子束外延 (MBE)生长的GaN薄膜进行了表面分析和深度剖析 .发现红外分子束外延 (RF MBE)......
场发射俄歇电子能谱的显微分析是一项新的分析技术,可对微尺度样品进行点、线、面的元素组分及元素化学态分析.本文简要介绍这项新......
以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜，采用原子力显微镜（AFM）观察薄膜的表面形貌，采用俄歇电子能谱（AES）分析薄膜的化学键和电子结构。将参......
本文介绍的动态离子束混合技术制备氧化铬薄膜系在不锈钢基体上进行1keV氩离子束溅射沉积铬（同时通入一定量的O），并用100keV的氩离子......
与X射线、高能电子或中子激发俄歇电子能谱相比，正电子湮没诱发俄歇电子能谱（PAES）具有极表面选择性、高信噪比、低辐照损伤等特点。......
对加氢反应器随炉运行试样在146.67 MPa的作用应力下,分别进行125、200和400 h的等温回火脆化试验,然后对试验后试样进行俄歇电子......
应用平衡晶界偏聚理论模拟了应力与回火脆化相互作用后的杂质元素P的晶界偏聚过程,通过俄歇电子能谱试验对模拟计算结果进行验证,......
2 俄歇电子能谱 1925年俄歇首次发现俄歇电子,并以他的名字命名。20世纪50年代有人首次用电子作激发源,进行表面分析,并从样品背......
采用俄歇电子能谱(AES)和傅里叶红外光谱(FTIR)分析低温PECVD法形成纳米级SiOxNy介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系,通过......
用俄歇电子能谱（AES）研究高真空室中纯铁和多能量叠加注碳纯铁表面与氧气吸附及初始氧化过程。纯铁表面的吸附及初始氧化的速率大于......
利用俄歇电子能谱(AES)和电子能量损失谱(EELS)研究了高真空室中不同温度下金属铀与氧的初始氧化过程,并分析了环境温度以及表面与......
艾尔标本被大音阶的第五音胶化 dip-coating 被 TiO2 电影盖住然后在铵 adipate 答案阳极化。结构，作文和阳极的氧化物电影的电容性......
采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果.......
研究了离子束溅射制备的Au/Zn/Au/p-InP欧姆接触的界面特性.在480℃退火15s比接触电阻达到最小,为1.4×1 0-5 Ω·cm 2.利......
X20CrMoV12.1耐热合金钢是热电厂主蒸汽管线的主要用材之一.该管材经16×104h长期高温载荷运行后,性能明显退化,常温下呈完全......
利用铀的电子能量损失谱(EELS)、俄歇电子能谱(AES)原位,研究了在室温下O2气氛中表面Ti膜初始氧化过程中表面结构的变化.结果表明,......
用直流磁控溅射法制备了非晶C薄膜及N掺杂非晶C（a-C∶N）薄膜,用紫外-可见分光光谱仪、椭圆偏振仪、俄歇电子能谱（AES）等对薄膜进行了检......
本文在俄歇电子能谱(AES)仪超高真空分析室中利用氩离子溅射沉积方法将Al沉积在U基体上.对不同Al沉积量的铀表面实时采集AES和低能......
以磁控溅射沉积方法,采用循环氩离子轰击镀和未循环轰击镀工艺在金属铀上制备了铝薄膜.俄歇电子能谱分析结果表明:循环氩离子轰击......
随着纳米结构材料的广泛应用，新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术发展的重要途径。本文基于局域电子信息全面性的思想，从俄歇电子......
随着科学技术的不断发展，人们正在寻求更新的实用材料．金属氧化物，包括金属氧化物薄膜的各种实用材料，在工业界、信息产业界和能源开发......
通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄......
用俄歇电子能谱(AES)研究了高真空下,环境温度对铀铌合金真空氧化膜的影响.当温度高于603 K时,氧化膜表面结构发生明显改变,表面主......
在俄歇电子能谱仪超高真空室内，采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜，采用俄歇电子能谱技术（AES）研究铀薄膜的生长方式，铀、......
铝诱导层交换是指铝-非晶硅双层膜经低温退火后，铝和非晶硅层的位置发生交换，导致在原来铝层的位置处形成一完整连续的多晶硅层．这一......
利用溶胶-凝胶法和旋转镀膜法在单晶Si（110）基底上制备了Ta2O5光催化剂薄膜．薄膜颗粒的晶粒度和大小随着热处理温度的升高而增加．利用......
在Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ材料的ＡＥＳ分析中，由于分析电子束辐照作用，可诱导表面Ｈｇ原子的脱附和热升华，导致短时间内样品表面严重失Ｈｇ，使ＡＥＳ定量分析结果产生很大的误差。......
随着纳米结构材料的广泛应用,新型微纳尺度表征技术成为纳米科学技术的重要组成部分。发展在纳米尺度下的各种检测与表征手段,以用......
采用微波光电导衰退法（μ-PCD）测试了二次阳极氧化膜和传统氧化膜钝化的中波n型HgCdTe芯片的少子寿命。利用俄歇电子能谱（AES）研究了传......
运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析。在样品表面制作了Ni／Au电极并......
感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用。在对比了ICP与RIE，ECR等干法刻蚀技术优缺点的基础上，采用Ni......
采用极化曲线法、失重法及俄歇电子能谱分析等研究了一种新型油田污水缓蚀剂膦甲基酰胺在碳钢表面的电化学及吸附缓蚀作用机理。电......
采用长期浸泡和表面膜俄歇电子能谱(AES)与扫描电子显微镜(SEM)分析方法研究了热挤压690合金管材3段不同挤出顺序的管段(头部A、中......
将基体效应修正引入到俄歇电子能谱仪定量分析中，基于MonteCarlo模拟和TPP-2M模型进行了氧化铜样品中各元素背散射因子和非弹性平均......
采用俄歇电子能谱和红外吸收光谱分析PECVD法低温形成SiOxNy薄介质膜的微观组分及其与制膜工艺间关系,通过椭圆偏振技术测试该薄膜......
