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利用溶胶-凝胶法和旋转镀膜法在单晶Si（110）基底上制备了Ta2O5光催化剂薄膜．薄膜颗粒的晶粒度和大小随着热处理温度的升高而增加．利用扫描俄歇电子能谱（AES）的表面成分分析、深度剖析和线形分析技术研究了热处理温度对Ta2O5/Si样品膜层和基底的界面化学状态和相互作用的影响规律．研究表明，在700℃以下热处理时，Ta2O5／Si薄膜界面处以扩散作用为主；在800℃高温热处理时，在界面扩散的同时也引发界面反应，生成了SiO2物种，界面扩散和界面反应会对薄膜和基底元素的化学价态发生影响．在紫外光下降解水