亚阈值区相关论文
人工智能神经网络已成为当下信息处理技术领域的重要发展方向,相对于软件实现人工神经网络,硬件实现人工神经网络有可以大批量并行......
在传统带隙基准电路的基础上,设计了一种带分段曲率补偿的带隙基准电压源。利用亚阈值区MOS管的漏电流与栅-源电压呈指数关系而产......
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出......
设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源.利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出......
在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上，提出了三种降低功耗的方法，并推导了相应的公式：使用电路休眠技术，减少空闲时不必要的功耗......
介绍了一种用于环境温度监测的新型高精度宽电压范围的CMOS温度传感器，采用0．13μm标准CMOS工艺的厚氧器件实现，芯片面积为37μm×......
结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管，提出一种纯MOS结构的基准电压源，其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的......
本文利用工作在亚阈值区的NMOS管的栅源电压，结合由两个栅源电压之差产生的一个PTAT（与绝对温度成正比）电压，提出了一种用于电流摸基准......
基于 SMIC 0.18 μm CMOS工艺,采用分段曲率补偿技术设计了一种低温漂带隙基准电压源.利用工作在 亚阈值区的NM0S晶体管的漏电流......
普通的一阶补偿带隙基准因忽略了YBE的高阶非线性项，其温度系数一般在20×10^-6～30×10^-6／℃，不能满足高精度系统的设计要求，......
提出了一种对带隙基准电压进行多点曲率补偿的新思路，给出了它的设计原理、推导过程和一种实现电路．与传统的曲率校正方法不同，分布式......
为了适应轮胎气压监测系统（TPMS）的恶劣环境,提高TPMS的系统集成度,设计了一款适用于TPMS的新型高性能超低功耗信号接收器。该信号接......
本文报道了一种新颖的ＣＭＯＳ运算跨导放大器（ＯＴＡ），ＯＴＡ的设计核心ＭＯＳＦＥＴ工作在亚阈值区，当ＭＯＳＦＥＴ工作在亚阈值区时，其漏电流小于１００ｎＡ，所以，这种ＯＴＡ具有更小的功耗，这就肯定了......
提出一种适合心电信号（ECG）检测的OTA-C滤波器。为了达到低功耗、低截止频率、高直流增益、高阻带衰减、低谐波失真的目的,滤波器采......
基于通过负温度系数电压控制工作于亚阈值区MOS管栅压产生随温度变化的补偿电流原理,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺,设计了一款高......
基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模......
采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的，工作在亚阈区的纯MOS电压基准源．利用CSMC（华润......
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,本文采用MOS管工作在亚阈值区的技术设计了一种二阶曲率补偿带隙基准。Cadence仿真结果显示,在1.5 V电......
本文采用了CSMC 0.18um的标准CMOS工艺，设计了一种工作在亚阈值区的低功耗CMOS带隙基准源，本设计电路是由纯MOS管组成，不包含双极型晶......
为克服传统带隙基准源在温度性能上的缺陷,设计了一种低温度系数的带隙基准电路。该电路在传统电流模基准结构的基础上,引入一个工......
根据带隙基准电压源的原理，基于CSMC0．5μm工艺设计了一种高精度二阶曲率补偿带隙基准电压源。利用MOS管工作在亚闽值区时漏电流和栅......
针对亚阈区导电问题,基于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件结构,由半导体表面空间电荷区的不同物理状态出发,分析了能带......
便携式产品的发展推动了电子产品小型化,同时带动了小型电源的发展。作为电池中的佼佼者,锂离子电池以其体积小、质量轻、寿命长等......
随着世界逐渐进入老龄化社会,庞大的老年人医疗保健以及年轻人因不良工作生活方式带来的肥胖病以及慢性病的治疗给已经超负荷运载......
在信息社会，提供稳定可靠的电源已成为了整个电子产业的基础。近年来，随着微电子技术的不断发展，各种便携式电子产品层出不穷，目前发展......
随着现代科学技术的发展,社会对集成电路的需求量越来越大,从宇航飞船、汽车再到手机。可以说人们的生活越来越离不开这些半导体产......
近十几年, CMOS集成技术的提高使得CMOS图像传感器成为视频领域的主要产品。目前数字图像传感器成为发展的主要方向,它的核心发明......
本论文围绕着应用于MCU中的多电源电压监视/复位控制电路进行了设计与研究（这里又被称为低压禁止电路Low Voltage Inhibit,简称LVI）......
设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降......
研究了将非晶硅薄膜晶体管(a-Si∶H TFT)在电路模拟程序(SPICE)中使用的亚阈值区模型,将亚阈值区分为亚阈值前区和亚阈值后区并建......
基于工作在亚阈值区的MOS器件，运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想．提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比（PSRR）的CMOS电......
本文介绍了一种芯片内部的自偏置电流基准电路。此电路采用工作于亚阈值区的峰值电流镜，构成自偏置电路，具有非常高的电源抑制比和温......
采用0．5μm标准的CMOS数字工艺．设计了一种适用于低电压工作的带隙基准电压源，其特点为通过部分MOS管工作在亚阈值区，可使电路使用非低......
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