【摘 要】
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设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出.后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进
【机 构】
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河南科技大学电气工程学院,河南洛阳471023
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设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出.后端物理设计采用多指栅晶体管阵列结构进行对称式版图布局,以压缩版图面积.基于65 nm/3.3 V CMOS RF器件模型,在Cadence IC设计平台进行原理图和电路版图设计,并对输出参考电压的精度、温度系数、电源抑制比(PSRR)和功耗特性进行了仿真分析和对比.结果表明,在3.3 V电源和27℃室温条件下,输出基准电压的平均值为765.7 mV,功耗为0.75 μW;在温度为-55～125 ℃时,温度系数为6.85x10-6/℃.此外,输出基准电压受电源纹波的影响较小,1 kHz时的PSRR为-65.3 dB.
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