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在分析了电池保护电路设计功耗要求的基础上，提出了三种降低功耗的方法，并推导了相应的公式：使用电路休眠技术，减少空闲时不必要的功耗；设计各电路模块的MOS管工作在亚闻值区，减小电路工作时的电流；基准电路中使用耗尽型nMOS管做恒流源，以简单的电路结构，得到与电源电压无关的基准电流和基准电压．从商达到降低功耗的目的。采用这些方法设计出来的CMOS工艺电池保护芯片，休眠时电流为59．2nA，工作时电流也不超过2．46uA，设计取得了成功。