论文部分内容阅读
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法，数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度，用这种方法估计得到的界面宽度在0.3nm左右。
利用FN振荡电流估计金属—氧化物—半导体场效应管Si—SiO2界面宽度
【摘 要】
：
给出一种利用FN隧穿电流振荡来估计金属-氧化物-半导体场效应管的界面宽度的方法，数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度，用这种方法估计得到的界面宽度在0.
【机 构】
：
西安电子科技大学物理系,航天工业总公司207所JS66重点实验室
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2002年1期
其他文献
采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料－掺铽的ZnO纳米晶，并对其结构与发光性质进行了研究，结果表明掺铽的ZnO纳米晶为六万纤锌矿结构，纳米颗粒表面
使用射频溅射和溶胶-凝胶(Sol-Gel)两种方法在玻璃表面制备SiO减反射薄膜,比较两种方法制备的薄膜减反效果.分析了Sol-Gel方法中溶胶浓度、陈化时间以及退火温度对薄膜透过率
利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互
随着我国经济的发展,中职学校的人才培养目标也随之发生变化,就英语教学而言,如何让英语课程与专业融合,能够让学生学以致用,更好地为专业服务,进而适应企业对人才的需求,这
利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。
采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激
21世纪教育研究院在北京发布的《北京市“小升初”乱像与治理：路在何方》研究报告指出，在该院内组织的关于“小升初”状况网络调查中，62％的受访者表示本市“小升初”的状况“非常
在４８８ｎｍ的Ａｒ＾＋激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度。使用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振等对
一、把握好初、高中课本内容上的断层新课标的实施对初、高中的课本内容都作了较大的改动，有些知识在初中里没有学过而高中里却要用到，这就要在教学中作增补。还有的知识在初中
语言的交际应用能力包括听、说、读、写四个方面，其中听、说是英语的实践环节，听是说的能力的深化。要提高英语教学质量，必须注重对学生进行口语、听力的训练，听力训练的首要条件