锗化硅相关论文
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研......
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低......
介绍了SiGe材料的发展历史、特性、制备方法及其在半导体器件中的应用。...
通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。......
阐述了SiGe技术迅速发展的原因.重点介绍了在蓝牙系统中采用SiGe技术,可以得到非常优异的特性.......
基于IBM 0.36μm SiGe BiCMOS工艺设计应用于802.11ac的全集低噪声放大器,工作频段为5~6 GHz,且带有旁路功能。低噪声放大器的主体......
在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGe HBT的基区渡越时间模型.该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合......
"硅光负阻器件的研究”、"高频高速硅光负阻器件的研究”是国家自然科学基金和天津自然科学基金资助的项目,由天津大学电子信息工......
采用适合于亚微米器件模拟的流体动力学模型(HDM),对SiGe HBT的亚微米器件模拟软件进行了设计.在SMDS 1.0模拟软件[1]的基础之上,......
建立了SiGe HBT基区渡越时间模型.该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和......
在该研究工作中，利用该所生产的ＳｉＧｅ材料，研制ＳｉＧｅ沟道Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ器件。初步的研究结果表明，ＳｉＧｅ沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导比硅沟道ＰＭＯＳＦＥＴ器件的跨导高。如果在器件工艺采取进......
对锗和锗化硅材料应用及发展前景进行了简单介绍。主要论述了在14 nm技术节点以下应用于pMOS晶体管沟道材料的锗的化学机械抛光(CM......
期刊
在过去的二十年中,无线通信领域始终保持蓬勃发展。近年来,通信用户的飞速增长及其技术的快速更新都对现代无线通信出了更高的要求......
