射频溅射法相关论文
利用射频溅射法在p+-Si上沉积Er3+掺杂的TiO2薄膜,分别在氧气气氛中经过650℃和850℃热处理2小时后,器件表现出不同的电致发光行为......
利用射频溅射方法制备得到了(Au,Ag)-SiO和(Au,Ag)-TiO纳米颗粒薄膜,(Au,Ag)颗粒的尺寸为12nm-30nm.其共振吸收波长随Au,Ag的相对......
用射频溅射法成功制备了金属/半导体型颗粒膜Fe/(InO).室温下,磁性测量结果表明样品具有超顺磁性,符合朗之万方程;所得到的巨磁电......
实验研究了LaNaMnO薄膜和多晶块体的磁电性质和电子结构,发现,随着晶粒尺寸的减小,LaNaMnO的磁转变温度区域逐渐变宽,并且,金属-半......
用射频溅射法制备了FeZrB、(FeZrB)Cu和(FeZrB)Cu非晶软磁合金薄膜.研究了掺杂不同原子百分比的Cu对FeZrB软磁合金巨磁阻抗(GMI)效......
采用射频溅射法在单晶硅基底上沉积Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金薄膜,并将制备薄膜在不同的温度下进行真空热处理.研究了不同溅射Ar气......
本文研究了在不同O2分压下用螺旋波等离子体辅助射频溅射法在蓝宝石衬底的(0001)面上制备ZnO薄膜。通过对其结构,光学及电学性质的......
本文采用偏压辅助射频溅射法,在高阻单晶硅(100)和316L不锈钢双面杯衬底上沉积SiC薄膜,研究了射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影......
利用热丝辅助射频溅射法在Si(100)衬底上生长了CN〈,X〉薄膜,俄歇能谱(AES)测得薄膜中氮的含量为21℅,红外吸收谱和拉曼谱呈现C≡N,C=N和C-N的吸收峰,X光衍射分析表......
采用固相反应法制备了Bi_4Ti_3O_(12)(BIT)及其Nb掺杂Bi_4Ti_(3-x)Nb_xO_(12+x/2)(BTN,x=0、0.015、0.03、0.045、0.06、0.09)铁电......
低辐射玻璃具有很高的远红外反射率和可见光透过率,既能满足室内的采光度又能有很好的节能效果。随着低辐射玻璃在建筑物中的广泛......
该论文的工作就是在评述SiC晶体结构性质、SiC材料的发展及研究进展、SiC器件的发展及研究进展的基础之上,阐述了制备SiC外延材料......
本文首先回顾了透明导电薄膜的发展历程,指出ZAO(氧化锌铝)薄膜是新一代透明导电薄膜,并讨论其性能优点及一般制备方法。在此基础上......
铜铟镓硒(CIGS)太阳电池是目前效率最高的薄膜太阳电池,其小面积制备效率最高已经达到21.7%,大面积器件已经超过15%。铜锌锡硒(CZTSe)......
用射频溅射法制备了金属/半导体FeX(In2O3)1-X颗粒膜。用X射线衍射(XRD),电子衍射(ED),透过电子显微镜(TEM)分析样品的微结构;用能散X射线谱(E......
In an attempt of being used as buffer layers and electrodes for the textured BaTiO3 (BTO) ferroelectric thin films, high......
为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性,对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究.采用颜色光学中测......
使用射频溅射法制作了Ga2O3薄膜并对其氧敏特性和温度特性进行了测试和研究,结果表明薄膜电阻与环境气氛中的氧分压的1/4次方成比例而与温度......
用射频溅射法在粗糙基底上制备了ZrO2膜,模拟了在该种条件下膜的表面形貌空腔的形成规律,提出了在粗糙基底上镀制性能均匀,稳定薄膜的对策......
采用射频(RF)反应溅射法,在微结构衬底上制备氧化钒薄膜,研究了氧气压、衬底温度、退火条件及薄膜厚度对薄膜电阻及电阻温度系数(T......
本文对射频溅射法沉积的a-SiC:H膜热退火形成6H-SiC相进行了研究。我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和X光衍射谱来研究退火形成6H-SiC的过程。在较高的......
采用射频溅射法制备了Zn0. 96Mn0.04O薄膜样品,并对样品进行了结构和性能的检测,其中使用的靶材是通过标准固态反应法制备的.经过X射线......
为研制高性能防水透湿织物,在涤纶薄膜基底上沉积了氟碳高分子膜,利用光电子能谱(XPS),表面衰减全反射红外光说(ATR-FT-IR),掠角红外光谱(GAIR)对膜进行了表征......
采用射频溅射法制备了SnO2气敏薄膜,并在薄膜中掺杂Sb2O3和Pt用于气敏薄膜的增敏.使用XRD对制备的薄膜进行了结构分析,测量了薄膜的吸......
利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体Pb1-xCoxSe薄膜研究了薄膜的成分结构以及电阻率-温度特性和磁化率温度特性间的关系,结果表明,由于Co离子介......
采用射频反应溅射法在氧化处理后的单晶硅基片上制备SnO2纳米薄膜,并在薄膜中掺杂Sb和Pd用于改变薄膜的气敏特性.运用X射线衍射(XRD)......
用射频反应溅射法制备了掺铂的TiO2薄膜.用X射线衍射仪(XRD),紫外-可见(UV—vis)光谱仪,电子扫描显微电镜(SEM)和X光电子能谱分析仪(X......
实验采用射频溅射法在(1 102)蓝宝石基片上制备(00l)取向CeO2外延薄膜.低温、低溅射功率都会导致CeO2薄膜呈(111)取向生长.当基片......
多晶氧化锌(ZnO)薄膜是一种多功能宽带隙氧化物半导体薄膜材料,它可以作为透明导电薄膜、压电薄膜、光电子器件、气敏和湿敏器件而......
ZnO 作为一种宽禁带半导体材料(3.3eV),其激子束缚能高达60meV,比室温热离化能26meV 大很多,是一种合适的用于室温或更高温度下的......
寻找和制备能有效吸收雷达波的新型隐身材料,是世界各国军事研究领域的重点攻关课题之一。从实用性考虑,新型吸波隐身材料必须要具有......
紫外光探测器无论军用还是民用上都有重要的应用价值,所以引起人们的极大关注。近年来随着材料制备技术的发展,半导体固态紫外探测......