980nm垂直腔面发射激光器的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pipiyouxi

【摘要】

：

采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激

【作者】

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郭霞董立闽渠红伟达小丽杜金玉邓军沈光地

【机构】

：

北京工业大学电子信息与控制工程学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年z1期

【关键词】

：

垂直腔面发射激光器内腔接触湿氮氧化

【基金项目】

：

国家自然科学基金(批准号:60276033,69889601),国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312070)及国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000683-02)资助项目

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采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL).通过制备不同氧化孔径尺寸的VCSEL,分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响.获得的最小阈值电流为0.8mA,最大光输出功率达8mW.

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