【摘 要】
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介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅（２．１５±０．１５ｎｍ）的工艺
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介绍一种军用专用集成电路的核心器件──ＭＮＯＳ管。存贮栅是该存贮管的制作关键，存贮栅由薄二氧化硅层和氮化硅复合膜组成。着重论述了复合膜中较难制作的薄二氧化硅即薄栅（２．１５±０．１５ｎｍ）的工艺控制。
Describes a military ASIC ASIC core devices - MNOS tube. The storage gate is the key to making the storage tube. The storage gate consists of a thin silicon dioxide layer and a silicon nitride composite film. The process control of the thin gate (2.15 ± 0.15nm) which is difficult to make in the composite film is emphatically discussed.
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