该论文主要工作是用射频磁控溅射方法制备二氧化钛(TiO<,2>)、氮化铝(AlN)和氮化硼(BN)三种宽禁带半导体,并研究了它们的一些性质.首先,对TiO<,2>薄膜进行了研究,用Raman表征了TiO<,2>薄膜相结构的变化规律,并且利用四探针法测量了沉积在不同基底上的TiO<,2>薄膜的电学性质,发现沉积在NiMnCo基底上的TiO<,2>薄膜发生了从良导体到半导体到绝缘体的转变,沉积在高掺杂Si基底上的TiO<,2>薄膜发生了从半导体到绝缘体的转变,然后研究了TiO<,2>薄膜的吸收光谱,首次发现了纳米厚度的TiO<,2>薄膜的吸收由紫外区转移到可见区,这一特性具有十分重要的意义.其次,制备了铅锌矿型的AlN薄膜,利用XRD表征了不同沉积条件下AlN的相结构.通过对沉积在NiMnCo、Al、重掺杂Si和轻掺杂Si等基底上的AlN薄膜的电学性质的研究,发现它们也存在从导体到半导体到绝缘体的转变,并且不同基底下的AlN薄膜从导体变到绝缘体的厚度不同,这是由于化学势差所造成的现象.最后,利用红外光谱来研究氮化硼薄膜的内应力的变化.利用传统磁控溅射设备制备的薄膜样品,c-BN的红外吸收峰为1032cm<-1>,比国际上报道的1050~1100 cm<-1>低大约20 cm<-1>,证明内应力比较低;利用正偏压制备的薄膜样品,红外吸收峰为1006.7 cm<-1>,非常接近无应力状态下的c-BN的红外吸收峰位,说明该样品的内应力已经非常低了,但是c-BN层与基底之间却存在一层由h-BN、w-BN组成的过渡层;首次运用了磁场来改进传统的磁控溅射设备制备了高含量的c-BN薄膜.