分子束外延(MBE)相关论文
PbTe由于其在热电及中红外探测器、激光器领域的广泛应用前景，一直以来备受研究者们关注。本文采用分子束外延(MBE)技术在BaF2(111)......
会议
采用分子束外延(MBE)方法,并结合原位退火生长技术在Si(001)基片上制备了Tm2O3 薄膜,XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶Tm2O3.在......
我们报道了利用分子束外延方法(MBE)生长的GaAs/GaInP 双结太阳电池的最近结果.在一个太阳AM1.5G 下，光电转换效率达到27％.同时，单结......
为满足快速准确测量分子束外延(MBE)生长的GaAs表面椭圆缺陷,提出了基于表面颗粒度扫描仪(Surfscan)测量椭圆缺陷的方法.根据理论......
分子束外延技术作为一种半导体超薄层生长技术,在制作半导体激光器方面得到了得天独厚的应用.该文在大量实验工作的基础上,优化了......
学位
异质结双极晶体管(HBT)的结构特点是具有宽带隙的发射区,大大提高了发射结的载流子注入效率,降低了基区串联电阻,其优异的性能包括......
用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比A......
期刊
用分子束外延 (MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层 ,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段 ,研究Al扩散......
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_(1-x)薄膜,并对图谱中所观察的光学......
利用电感耦合等离子体(ICP)装置对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的Mg组分进行了测试.经理论分析,得到使......
用分子束外延（MBE）方法生长了两种典型阱宽（5nm和10nm）的表面单量子阱，表面量子阱中的受限态被表面真空势垒和AlxGa1-xAs势垒束缚.以原......
垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在......
利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的......
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高，波长飘移，发光效率下降等问题，设计并生长了一种具有高特征温度......
本文根据在调试分子束外延（MBE）系统过程中，使用反射式高能电子衍射（RHEED）对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析，从而总结出在MBE外延......
对分子束外延（MBE）生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知，原位退火可以得到光滑的材料表面，并可以降低材料的腐......
文章综述了金属间化合物Fe3Si制备方法的研究现状,详细介绍了Fe3Si的几种常用制备方法,如分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）、物理气......
采用分子束外延在3英寸Ge（211）衬底上生长了10gm厚的CdTe（211）B薄膜。CdTe表面镜面光亮，3英寸范围厚度平均值9．72μm，偏差0.3μm；薄膜晶体......
利用全固态分子束外延（MBE）方法在Ge（100）衬底上异质外延GaAs薄膜,并通过高能电子衍射（RHEED）、高分辨X射线衍射（XRD）,原子力显微镜等手段......
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采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比A......
采用分子束外延设备（MBE）,外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中,通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、......
设计并研制了用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极晶体管(HBT),介绍了工艺流程及器件结构。分别采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)......
在射频（RF）等离子体辅助分子束外延（MBE）系统中，采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料；通过研究Ⅲ／Ⅴ比的调节对Ga......
利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子力显微镜（AFM）、Hall效应（HallEffec......
GaAs(001)表面岛状结构自发形成的动态过程是研究薄膜生长机制微观理论一个重要的研究方向。本文利用扫描隧道显微镜(STM)的一系列......
用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直......
研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流......
异质结双极晶体管(HBT)的特点具有宽带隙的发射区,能大大提高发射结的载流子注入效率,降低基区串联电阻,其优异的性能包括高速、大......
利用分子束外延方法（MBE）在GaAs（001）衬底上外延生长了GaSb薄膜，并对GaSb薄膜进行了高温退火研究，利用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、原子......
期刊
随着电子工业的发展,人们对具备高电子迁移率的化合物半导体尤其是铟镓砷(InGaAs)的研究和使用日益广泛。这对材料性能提出了更高......
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时，出现的阈值电流升高，波长漂移，发光效率下降等问题，我们设计并制作了具有高特征温度......
文章利用分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE)法在蓝宝石衬底上制备拓扑绝缘体Bi2Se3和掺杂Mn的拓扑绝缘体Bi 2Se 3的异质结薄......
