宽禁带氧化物半导体薄膜与透明电子学

来源 :第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：danan1234

【摘要】

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氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)

【作者】

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吕建国江庆军冯丽莎叶志镇

【机构】

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浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027

【出处】

：

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

【发表日期】

：

2015年期

【关键词】

：

宽禁带氧化物半导体薄膜

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氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)和ZnAlSnO薄膜的生长、性能及其应用.这两种材料都是无In的,原料和产品成本低,符合可持续发展战略,具有很大的应用潜力.

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