【摘 要】
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在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通
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在76．2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管（JBS）。在室温下，器件反向耐压达到2700V。正向开启电压为0．8V，在VF=2V时正向电流密度122A／cm^2，比导通电阻Ron=8．8mΩ·cm^2。得到肖特基接触势垒qФB=1．24eV，理想因子n=1。
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