碲化镉(CdTe)和硫化镉(CdS)是制造薄膜太阳能电池的常用半导体材料。CdTe/CdS薄膜太阳能电池最高实验室光电转换效率已经达到16.5%。本论文研究了在CdTe薄膜太阳能电池制备过程中相关材料的制备、处理和表征。第一章首先介绍了太阳能电池的发展历史和基本工作原理。然后介绍了CdTe和CuInSe2薄膜太阳能电池的特点和结构。最后介绍了CdTe薄膜太阳能电池中的欧姆接触。第二章中采用三电极电化学沉积法成功制备了CdTe多晶薄膜。通过XRD、Rman、SEM等手段研究了CdCl2热处理以后对电化学沉积的CdTe薄膜的晶体结构和微结构的影响。第三章首先研究了化学水浴法沉积CdS的机理和CdCl2热处理对CdS薄膜微结构、表面形貌、晶体结构和光电性质的影响。然后采用Glass/FTO/CdS/CdTe/ CdS结构,通过XRD、SEM、Raman、XPS等手段重点研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响。研究发现热处理550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15。CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成。第四章首先介绍了近空间升华法制备CdTe薄膜的原理和装置。然后研究了CdTe薄膜的溴-甲醇化学蚀刻的机理和蚀刻前后表面化学组成和微结构的变化。通过摸索和优化溴-甲醇化学蚀刻条件,作者制备出了光电转换效率为12.4%的CdTe薄膜太阳能电池。