负阻现象相关论文
钨青铜结构氧化物由于其特殊性质受到了广泛的关注,其中又以AxWO3为代表,根据A为元素的原子半径和含量又分为几种不同的结构,当W被......
Ga,B扩散制得高反压晶体管普遍存在有负阻现象,而Ga基区晶体管负阻较为明显;本文借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,......
该院采用了全离子注入技术和一次性热退火工艺试制了Ge—APD。测量结果表明，器件反向击穿电压V[*vB*]在35—50伏。在0.9V[[*vB*]时，......
学生实验中发现了变压器在特定条件下存在着原副边电流关系反常变化的少见现象，通过分析，确认了这种负阻现象是由于变压器磁特性的非......
SiC材料由于具有宽禁带、高临界击穿电场、高饱和电子漂移速度、较大的热导率等优良特性,因此成为制作高温、高频、大功率器件的理......
横向高压功率器件LDMOSFET有耐压高、增益大、动态范围宽、失真低和易于与低压电路工艺兼容等特点。随着半导体工艺技术的不断成熟......
该文主要对MIM(金属-绝缘层-金属)隧道发光结(主要为AlO-Au隧道结)的电流-电压(I-V)特性中的负阻现象用"轨道杂化"理论进行了解释.......
对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟......
成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子......
在电接触过程中，金属－氧化物－金属和金属－氧化－氧化物－金属的接触界面上会出现表面等离极化激元。ＳＰＰ有两种存在状态下，不产生辐射状态和可以......
论述作为一种新型发光器件的ＭＩＭ隧道结的发光机理，报告了该器件的发光现象和Ｉ－Ｖ特性曲线中负阻现象的实验观察。数据显示，结中表面等离极化......
制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理......
在普通ＭＩＭ隧道发光结的基础，制备了多层膜结构ＭＩＭ发光结，这种结构的发光结含有两层氧化物绝缘层及双层ＭｇＦ２。其发光性能优良，发光效率达１０＾－６－１０＾－６量级，测试......
对结构为Si/Al/Alq3/PVK：TPD/PTCDA/ITO的有机反转电致发光器件I-V特性的测量发现,其电压出现了峰值的负阻现象.分析表明：高电压注入......
纳机电系统(NEMS)是电子自由度和机械自由度之间具有强相互作用的纳米尺度的器件,它具有尺寸小、频率高、响应时间短、品质因素高......
提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGB......
本文简要介绍了绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)的发展历史和基本工作原理,较为全面地总结了国内外降......
