纳米银焊膏相关论文
近些年来,随着5G、人工智能等电子科学技术的进步,半导体器件不断向智能化、高精密、高集成、高可靠方向发展。以航空航天以及雷达......
纳米银焊膏凭借其优异的机械、热、电性能,以及简易的烧结工艺等特点,已成为功率半导体器件封装中极具前景的芯片互连材料。然而,......
半导体激光器在工业、医学、航空航天、雷达、测量与检测等领域有广泛的应用。但是,半导体激光器依旧存在许多问题和挑战。半导体......
纳米银焊膏以其优良的机械、电、热性能,以及绿色无铅等优点,逐渐取代传统的锡铅焊料和无铅焊料成为功率半导体器件封装的关键材料......
本文中针对烧结纳米银焊层在典型含氯环境中的耐蚀行为进行了研究。研究方法包括浸泡实验方法和电化学实验方法。通过实验,探索了......
纳米银焊膏由于其高熔点、低烧结温度以及良好的导电/导热性能和机械可靠性，越来越多地受到电子封装行业的重视。并且，作为一种新兴......
纳米银焊膏作为一种新型无铅化低温烧结互连材料,具有优良的高温机械性能、导电性能以及导热性能,可满足大功率半导体器件的高温、......
节能减排现已成为人们应对能源危机与环境保护的一项重要措施。变频技术以降低能源消耗为目的已被广泛应用于工业制造、家用等领域......
采用改进的多元醇法制备纳米银线焊膏,制得的银焊膏性质稳定,微观形貌多呈线状,通过XRD和DSC对其成分和熔点进行了测试分析。随后......
纳米银焊膏具有高熔点、低杨氏模量和优异的导热导电特性,使其成为宽禁带半导体器件的首选芯片互连材料。以往,纳米银与基板连接的......
连接层作为功率模块中的关键部位,在高温下容易发生疲劳老化失效。传统的焊料合金因高温性能差严重限制了功率模块向高温和高功率......
学位
纳米银焊膏作为一种新型的无铅焊料,具有优良的高温稳定性,导电导热性能,满足了大功率和宽禁带半导体器件的高温和高密度封装要求,......
纳米银焊膏作为一种无铅化芯片连接材料已被广泛关注。它具有优良的机械性能、耐高温特性、良好的导电、导热性能,可满足大功率电......
随着LED芯片功率的不断增加和LED模块尺寸的不断减小,大功率LED模块在发光过程中的产热量越来越多,如果不及时消散,会严重影响LED......
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综述了功率电子器件和模块的连接和封装工艺，介绍了粉末致密烧结技术和用于电子封装的现状，对纳米银金属焊膏烧结技术进行了讨论。研......
纳米银焊膏粘接材料作为一种新型的绿色无铅热界面材料可应用于高温大功率电子器件的芯片互连,由于其良好的机械性能、导热性能和......
纳米银焊膏由于其高熔点、低烧结温度以及良好的导电/导热性能和机械可靠性,越来越多地受到电子封装行业的重视。并且,作为一种新......
选择低温烧结纳米银焊膏和铜/三氧化二铝陶瓷(DBC)基板建立了高温大功率芯片连接(die-attached)封装单元,对连接材料失效,连接材料......
智能电网用压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块主要通过压力接触来实现热耗散,而这种封装散热方式存在界面接触不佳、散热性能差......
无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块......
电动汽车、混合动力汽车、燃料电池汽车为代表的新能源汽车是实现节能减排目标的重要行业之一。IGBT模块作为新能源汽车的核心，其发......
双面冷却封装技术由于可显著降低芯片结温，是一种具有广阔发展前景的封装方法。然而，功率电子设备双面连接的可行性及之后的焊接接头......
纳米银焊膏作为一种无铅的界面连接材料,可以通过低温烧结技术实现功率半导体芯片的连接。由于纳米银焊膏具有熔点高(961℃)、电导......
本文在烧结纳米银焊膏搭接接头力学性能试验的基础上，分别使用基于内变量理论的Anand本构模型和基于经典塑性理论的OW-AF非线性随动......
采用无铅化电子封装用芯片连接材料—纳米银焊膏,成功制备了IGBT双面连接试样。芯片剪切实验表明双面连接试样中纳米银烧结焊点的......
碲化铋是中低温区热电性能最好的热电材料之一,在热电制冷方面已得到了大量的开发。然而,其热电发电应用仍然受到诸多的限制。其主......
介绍了一种加速老化试验模型对LED模块进行寿命预测。分别采用纳米银焊膏、锡银铜焊料、导电银胶作为芯片粘结材料。控制环境温度......
为提高大功率LED的散热能力,采用具有更高熔点和更优良的导电导热性能的纳米银焊膏作为芯片粘结材料,以Al2O3基陶瓷基板封装COB LE......
对纳米银焊膏的低温烧结过程进行了研究。首先采用热重分析(TG-DSC)研究了纳米银焊膏有机物挥发的物理机制,确定合理的试验参数。......
电子封装中的基板可为半导体器件提供点连接和绝缘、机械支撑、热扩散,因此,基板与功率半导体器件的互连技术非常重要。功率器件连......
随着电子电力技术的不断发展,IGBT已经成为许多设备中的核心部件,在很多领域都有着重要的影响。现在器件都在向大功率发展,IGBT模......
随着微电子封装技术的发展,传统的芯片级互连材料呈现出很多的不足。为满足当前电子工业领域宽带隙半导体器件高温封装的要求,本文......
随着可高温应用的宽禁带半导体功率器件的发展，低温无铅烧结纳米银焊膏正逐渐取代传统焊料合金材料，作为能实现芯片级互连的新型连接......
纳米银焊膏作为一种新型无铅化芯片互连材料,具有良好的机械性能、导电性能以及导热性能,可满足大功率电力电子半导体器件的高温、......
大功率LED作为一种新型的电致发光固体光源,具有安全可靠性强、耗电量少、发光效率高、稳定性好、响应时间短、颜色可变化、有利于......
本文研究了新型热界面材料低温烧结纳米银焊膏薄膜的高温蠕变行为。纳米银焊膏薄膜以烧结理论和纳米颗粒特性为依据,在低温下烧结......
采用化学还原法制备出粒径分布在20～80nm的纳米银焊膏,每个纳米银颗粒上包裹的有机壳防止纳米颗粒的聚合.通过扫描电镜(SEM)对不同......
