硅熔体相关论文
为了了解水平温度梯度作用时Czochralski(CZ)结构浅池内硅熔体热毛细对流的转变滞后特性,利用有限差分方法进行了非稳态三维数值模......
为了了解水平温度梯度作用时Czochralski(Cz)结构浅池内硅熔体热对流的分岔特性,利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟,坩埚外......
本研究开发的原子模拟模型和算法为获得高温下的材料物性参数和扩散、分凝、溶解特性提供了有效研究手段。就液硅内部C的扩散、分......
合金热力学性质是生产应用的理论研究基础,是材料显微结构和性能差异的因素之一,,具有重要的的理论意义和实际价值。因此有必要进......
为了理解浮力对热毛细对流的影响，二维数值模拟了10mm深环形硅熔体(Pr=0.011)和硅油(Pr=6.7)液层内浮力对流、热毛细对流及浮力-热......
为了理解旋转对环形池硅熔体(Pr=0.011)热毛细对流的影响，三维数值模拟了外壁高温、内壁低温，内半径20mm、外半径40mm、深度1~3mm的......
从带电运动粒子受磁场的作用出发,在研究了硅粒子团的带电状态后,分析在不同方向的外加磁场中,运动的硅粒子团受磁场作用的情况,研......
硅单晶中氧的浓度取决于其在溶体和晶体中的分凝。该文利用Ｆｏｕｒｉｅｒ变换红外光谱仪研究了硅熔体中氧的分凝，实验指出氧的平衡分凝系数Ｋ〈，０〉小......
温度在自由界面的不均匀分布会导致表面张力的不均匀分布，流体将在表面张力的驱动下发生流动，这种流动被称为热毛细对流或Marangoni......
在直拉法生长硅单晶的过程中，坩埚内的硅熔体对流会不断的冲刷坩锅壁，将杂质带入熔体，并随对流进入硅单晶内，同时，对流还会影响坩埚内的......
用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引人磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体......
为了解静磁场作用下熔融液滴振荡过程的特征，采用相场法数值模拟了硅熔体液滴的界面变形和内部对流过程，分析了轴向静磁场对初始形状......
为了了解水平温度梯度作用时Czochralski(CZ)结构浅池内硅熔体热毛细对流的转变滞后特性,利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟......
论述了从硅熔体中生长3C－SiC晶体过程中6H－SiC晶型控制的一般原理，采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化。坩埚内壁石墨自......
为了模拟具有高密度比的两相流,提出采用牛顿迭代求解半隐式格式离散Cahn-Hilliard方程的方法,应用相场法模拟水的溃坝流和水下气......
为了了解水平温度梯度作用时Czochralski结构浅池内硅熔体热对流的分岔特性，利用有限差分法进行了非稳态三维数值模拟，坩埚外壁被加......
提出了具有齿状结构的坩埚设计方案，通过计算硅熔体弯曲液面的附加压强得出相应的计算模型。结果表明，此模型计算出采用良好涂层的齿......
利用魔环磁场，对硅熔体施加横向可调的磁场．采用回转振荡法，测量了硅熔体在不同温度、不同水平方向磁场下的磁黏度．研究结果表明，引入磁......
工业生产的太阳能电池用多晶硅锭内部常出现碳化硅夹杂,影响太阳能电池的转换效率,特别是严重威胁硅片的切割生产过程。本文研究了......
根据磁场直拉硅原理的微观解释[1],分析研究了磁场直拉硅晶体生长过程中,硅熔体的流动状态,结果表明,外加水平磁场的引入,造成硅熔......
为了了解工业Czochralski炉内硅熔体表面轮型的基本特征。对环形浅池内硅熔体的热毛细一浮力对流进行了三维数值模拟，硅熔池内径为1......
β碳化硅是碳化硅近200种不同结晶形态中唯一的纯立方结构晶体，载流子迁移率高，电子饱和漂移速度大，更适合于制造电子器件特别是电力......
本文从电磁相互作用基本原理出发,研究锗熔体在垂直磁场中粘度的变化、液态汞在水平磁场中粘度的变化和粘度随磁场强度变化的机理,......
用钕铁硼（NdFeB）永磁材料构建“魔环”结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下......
<正> 在直拉硅单晶生长过程中,熔体热对流对单晶质量有很大影响。一方面,热对流引起的温度波动可引起生长速率的变化,因晶体回熔而......
对硅熔体的基本物理性质，密度、表面张力、粘度的最新实验结果进行了综述．发现在硅的熔点（约为１４１５℃）以上１５—２０℃的温区内存在明显的异常变化......
随着世界经济和科技的不断发展,对能源的依赖和需求持续增大,为了保障经济和发展的稳定性,世界主要发达国家已经将能源安全提升到......
随着光伏产业的快速发展和太阳能电池使用的普及,作为太阳能电池基本材料的太阳能级多晶硅,占据了越来越多的市场份额。目前,价格......
