硅刻蚀相关论文
黑硅技术指在晶硅材料上制备纳米级陷光结构，使其具备卓越减反射性能，提升其电流及电池性能。目前，黑硅技术仍未能产业化，方法研究......
本文寻求合理的抛光预处理将可以获得所需要的有序硅表面,另外对于电抛光结果的进一步解释,将有利于全面了解硅刻蚀的机理.......
本文研究了在PE8310全自动二氧化硅刻蚀的实验模型基础上,通过最小二乘法优化提取了模型参数,从而求得被刻蚀二氧化硅厚度与主要工......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
以SF6／C2H4为刻蚀气体，使用Corial200IL感应耦合等离子体（ICP）刻蚀系统，进行Si等离子刻蚀技术研究。通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护......
针对硅微加工中的刻蚀工艺模拟应用,提出了一种基于点元网格和单位法向量的三维表面演化算法.在形成的连续曲面上,以高斯积分法得......
Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混......
Applied Centura、Silvia^TM Etch刻蚀系统专为高效、低成本的TSV应用而设计。silvia系统能够提供更高的硅刻蚀率，并大幅度降低运营......
日前，应用材料公司宣布推出强大的Applied Centris^TM AdvantEdge^TM Mesa^TM刻蚀系统，它是面向世界上最先进的存储和逻辑芯片的批量......
Dry etching of silicon is an essential process step for the fabrication of Microelectromechancal system (MEMS) The AZ722......
在微机电技术中,利用刻蚀方法对硅进行体结构加工是一步重要的工艺程序.本文提出了一种基于四甲基氢氧化铵的新型刻蚀方法,四甲基......
利用离子束刻蚀（IBE）和反应离子刻蚀（RIE）等干法刻蚀方法来制造带栅极的场发射阴极阵列。本文描述了其制作的流程工艺，并对制作中的一些......
用CFD-ACE＋和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性......
概述了电子器件中的各种硅刻蚀技术，提出了新的旋转喷射硅腐蚀方案，对2种酸腐蚀挖槽方法进行了试验对比。新方法应用于集成门极换相......
XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体，可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体，其对硅刻蚀特性呈现各向同性．研制了一个使用脉冲法对......
针对在普通实验室和医院实现40—100keVX射线相衬成像的需求,考虑到成像系统参数、X射线源空间相干特性及光栅衍射效率,设计出硅基......
随着半导体工艺的发展，刻蚀和沉积的腔室条件复杂性增加，特别是等离子参与的工艺过程。国内目前对于工艺流程的设计和设备制造这样一......
