热载流子注入效应相关论文
集成电路被广泛地运用于航空、航天和核电站等特殊领域。当集成电路工作在上述环境中时，会受到各种辐照射线和粒子的威胁，严重影响电......
SOI CMOS器件可实现完全的介质隔离,具有寄生电容小、集成密度高、低功耗、可以避免闩锁效应以及良好的电学特性等优点,正逐渐成为......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFin......
集成电路制程可靠性是通过特殊设计的电子器件结构来研究集成电路制程工艺相关的可靠性失效模式的物理模型、寿命评估方法，并针对主......
对工艺过程进行评估的目的在于找出存在可靠性缺陷的地方,它是针对技术磨损的机理,通过对专门设计的测试结构进行封装级或圆片级可......
简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时间有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)......
随着VLSI工艺的发展,半导体制造技术不断进步,在摩尔定律的推动下,每过三年,芯片上面的晶体管数目翻两番,芯片面积变大1.5倍,器件......
空间站、人造卫星等航天设备在空间环境中,会长期受到可靠性效应和总剂量辐射效应的影响。本文针对宇航环境中存在的可靠性效应和......
随着集成电路工艺进入纳米时代,晶体管器件可靠性问题成为芯片设计过程中必须重视的一环。Cadence的可靠性仿真分析工具RelXpert,......
介绍了绝缭体上硅（SOI）材料的制作方法．阐进了SOIMOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明：前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI......
