工业VO半导体薄膜的电学稳定性研究

来源 :2002全国冶金物理化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jick85726
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用攀钢工业V<,2>O<,5>溶胶-凝胶为原料,采<1>用不同涂膜方法、在不同衬底上制备出工业V<,2>O<,5>半导体薄膜.研究了薄膜的电阻率与各种因素的关系.结果表明:热处理条件、放置时间、环境温度、湿度以及涂膜方法对V<,2>O<,5>薄膜电阻率均有较大影响.所制V<,2>O<,5>薄膜是一种很好的半导体薄膜材料.
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用恒电流充/放电方法研究了LaMgNiCoAl合金的电化学性能.结果表明:LaMgNiCoAl金属氢化物电极较容易活化,室温大电流放电性能优异,以4200mA/g电流放电时,LaMgNiCoAl合金的放电容量162mAh/g,为商业AB型合金放电容量的2.5倍,显示了良好的动力学性能.
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在合成表面包覆SiO的纳米FeO磁性组分的基础上,采用内凝胶(油中成型)的方法制备了球型AlO催化剂磁性载体.实验中通过选择不同的成球、水热处理、陈化、烧结等工艺条件对产物的粒度、晶相组成、比表面、孔体积、磁性能等性质进行调整和控制.磁性组分表面的SiO层避免了FeO颗粒与载体组织的反应,使载体具有超顺磁性特征.磁性载体的物化性能达到了催化应用提出的需要.
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从原子层面,基于ultrasoft赝势,根据密度函数理论,采用第一规律方法对纯γ-Mn的顺磁、铁磁和反铁磁性状态下的电子、基态属性、相稳定和磁有序结构进行研究.通过自旋极化分析讨论了纯γ-Mn的三种磁磁性状态的结构稳定性,发现在基态时,反铁磁性状态γ-Mn结构最稳定,并得出Mn原子处于高自旋状态,其理论磁通量为2.41μ/atom,与试验结果极其吻合.通过局部状态密度(DOS),我们分析了它们的键
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