靶基距相关论文
基于直流磁控溅射的基本原理,通过对小圆形磁控溅射平面靶的特点分析,建立了磁控溅射系统的几何模型,推导出了膜厚分布的数学理论......
AZO薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性,在众多领域拥有良好的现实及潜在应用前景。且存在丰富的原材料,......
本文通过改变靶基距及样品与靶面偏转角等实验参数，采用直流磁控溅射离子镀技术在三种（1＃:角α=60°，2#:角α=90°，3#:凹角α=60°）样品......
磁控溅射镀膜是现代工业中不可缺少的技术之一，广泛应用于电子，建筑，汽车等行业中。尤其适用于大面积镀膜生产。镀膜工艺中的薄膜厚度......
在SiC纤维表面利用直流磁控溅射PVD(Physical VaporDeposition)技术沉积钛合金是制备钛基复合材料的重要工艺过程。研究了直流......
以四靶闭合场非平衡磁控溅射方法制备C／Cr镀层，用球痕法测量镀层厚度，研究了镀层厚度及均匀性随靶基距的变化规律，并探讨了靶基距影响......
采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnMgO∶Ti透明导电薄膜。利用SEM、XRD、双光束紫外可见分光光度计和四探针法系统研究了靶......
采用直流反应磁控溅射方法在ITO导电玻璃上沉积了WO3薄膜,研究了靶基距对其微结构和电致变色性能的影响,利用XRD、SEM和XPS对薄膜......
近年来TiNi形状记忆合金以其良好的形状记忆效应、超弹性、防腐蚀性及良好的生物相容性等而被广泛应用于航空航天、电子、机械及生......
利用直流磁控溅射工艺,在水冷玻璃衬底上制备了透过率高、电阻率相对较低的钛铝共掺杂ZnO（TAZO）透明导电膜。用XRD和SEM等研究其结构......
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Cu3N薄膜由于其特殊的结构以及较低的热分解温度在光存储、微电子等半导体领域有着广泛的应用前景,近些年来受到国内外学术界的广......
为制得具有更小电阻即更好导电性能的织物,利用磁控溅射技术,以铜作为靶材,在涤纶纺黏热轧非织造布上沉积铜薄膜制备导电织物,测试......
利用台阶仪、X-射线衍射仪分别研究了薄膜厚度及物相.实验结果表明：随着靶基距的减小,薄膜的厚度增加,而对于纯TiO_2主峰的衍射峰强......
利用直流磁控溅射法,在室温水冷柔性PET衬底上成功制备出了掺钛氧化锌透明导电薄膜(TZO)。通过X射线衍射和扫描电镜等表征方法对薄......
采用射频磁控溅射法,以聚四氟乙烯（PT-FE）为靶,氩气为载气,在再生纤维素基底上制备了氟碳膜。用原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XP......
使用磁控溅射和非平衡磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积钛膜.实验了在同等工艺条件下平衡和非平衡两种不同的工作模式对膜厚均匀性的......
磁控溅射镀膜是工业镀膜生产中最主要的技术之一,尤其适合于大面积镀膜生产。膜厚均匀性、靶材利用率等问题一直是磁控溅射技术研......
<正>(接2014年第5期第80页)靶—基距对沉积速率有很大影响,图19给出了S-枪靶的靶基距对沉积速率的影响。从图中可见,随着靶基距的......
磁控溅射镀膜是工业镀膜生产中最主要的技术之一，尤其适合于大面积镀膜生产。生产中需特别关注靶材利用率、薄膜厚度均匀性、沉积速......
应用DC（直流）反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30分钟的......
应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15sccm,溅射时间为30min......
