静电保护相关论文
为有效控制生产成本,减少工艺步骤,提出了在SiGe工艺中,用SiGe异质结双极型晶体管(HBT)代替传统二极管来实现静电放电(ESD)保护的......
随着半导体工艺制程的进步,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)造成集成电路芯片以及电子产品失效的情况愈加严重了。目前对电......
针对火炸药生产、存储、运输以及使用过程中的静电放电问题,为了寻找抑制静电放电电压过高的可行办法,对空气、二氧化碳、氦气在0......
横向高压功率器件LDMOS(Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)以其高耐压、高增益、高跨导、宽......
要实现以事件相关脑电位(ERP)为通信载波的脑-计算机接口，ERP成分的检测是关键。ERP信号微弱，背景噪声很强，要求放大电路具有极高的增......
智能功率集成电路（SPIC）实现将功率驱动器件与信号控制集于一体的目的。随着BCD工艺的不断进步，智能功率集成电路获得长足发展。作为S......
衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件，理论......
高莱公司在CHINAPLAS 2018上推出两个新系列产品,用于汽车、电子电气（E＆E）和静电保护（ESD）包装以及储存和分配等高性能应用领域.高莱首......
研究了LDMOS在ESD放电过程中的机理及二次触发的现象,通过对LDMOS器件关键尺寸的优化设计与结构的改进,结合器件计算机辅助设计技......
对LVTSCR(Low Voltage Triggered Silicon Controlled Rectifier)结构在深亚微米集成电路中的抗静电特性进行了研究.实验结果表明,......
目前国内存储器芯片快速发展，非挥发性存储器NOR发展到45 nm工艺节点，NAND Flash发展到24nm工艺节点。存储器被广泛应用到各种电子产......
将石墨烯邦定至粉末底粉的表面，在固化过程中，石墨烯可迁移至涂层表层，成膜后制备导电型石墨烯粉末涂料（邦定法）。作为对比，将石墨烯通过......
CMOS工艺技术缩小到深亚微米阶段,电路的静电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计.......
随着集成电路的迅速发展，特别是数模混合电路的广泛应用，静电放电（ESD）已成为导致集成电路内部静电损伤的可靠性问题，它常常在集成电路......
针对目前双极电路的ESD保护需求，引入SCR结构对芯片进行双极电路ESD保护。通过一次流片测试，发现加入SCR结构的电路芯片失效，SCR结构......
摘 要：现阶段，半导体在器件生产中，其技术水平在我国社会发展水平不断进步的影响下显著提高，器件在生产中产生静电现象是在所难免的，针......
介绍了集成电路设计中ESD保护的基本原理和儿种常用的保护方法并比较其优劣.提出了在多电源、多地时特殊的ESD保护结构(栅耦合结构......
在电装车间发生元器件损坏事件，大部分都是因为过电应力损伤、电流过大烧毁、大电压击穿，这些失效模式是典型的浪涌损坏。在此分析了......
静电放电现象广泛存在于电子产品中,其特点是时间短暂、速度快和能量高。静电放电会导致电子元器件失效或存在隐患,甚至导致电子产......
我国北方地区冬春之交是一年中最干燥的季节，再加上空调，暖气等取暖设备的使用导致室内空气更加干燥，这样的环境容易让人体水分过度流......
对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持......
日前，德州仪器(TI）宣布针对汽车应用推出一款独立的局域互联网络(LIN)收发器，可实现高达17kV(国际电子技术委员会)与12kV(人体模型)的......
由于绿色生物可降解塑料本身在热学及力学等性能上的缺陷,导致了其使用及推广的限制,因此有必要提高这些材料的加工及使用性能,进......
以CMOS仪表运算放大器作为脑电检测前置放大器是经常选择的技术方案。但是，在使用过程中人体静电所产生的高能电子流会击穿COMS管的......
随着科技的发展,人们对电子产品需求日渐增加,对集成电路的要求也随之增加,静电防护是集成电路设计、封装、运输和组装中十分重要......
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验，这种方法不利于产品的推出。文中提出使用ISE—TCAD工具对ESD保护电路进行模......
随着工艺尺寸的不断缩小和电路规模的不断增大,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)对集成电路(Integrated Circuit,IC)的影响......
近年来,随着石油工业的迅速发展,为了满足油田生产的需要,油田自建的燃油加油站日益增多,计量加油机作为加油用计量器具得到了广泛......
结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析......
本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情......
为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,提出一种适用于纳米级存储器芯片的静电保护电路.电路通过静电保护侦测电路,提前泄......
研究了不同栅结构对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现环源结构的SOI NMOS器件抗ESD......
采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维......
有机发光二极管（OLED）目前已大量应用在小尺寸的面板中，面对这迷人的高机，IC设计厂商纷纷涉足OLED驱动器的设计领域，希望能在庞大的市场......
该文从开短路测试原理出发，使用A567测试台对二输入与非门54LS00的输入、输出管脚进行Open—Short测试，验证了此方法快速检测出被测......
当前的集成电路设计中大量采用了可控硅的设计结构来进行ESD的保护,但是一般的SCR保护结构很难满足现在低电压,以及一些特殊要求的......
<正>当USB2.0在1999年面世时,其480Mbps半双工差分信道就对设计人员实现静电放电(electrostatic discharge,ESD)保护带来了艰难的......
近年来,随着SOI技术的快速发展,SOI集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题。介绍了SOIESD保护器件方面的最新进展,阐述......
针对目前双极电路的ESD保护需求,结合双极电路的特点和制造工艺,设计了一种可控硅整流器(SCR)结构。使用器件仿真工具MEDICI,对器......
<正> 晶体管出现后经历了二十五年的电子工业,至今已迎来了五光十色的集成电路时代。在此发展过程中,由电子部件、电子产品的高性......
非接触式IC卡是近几年发展起来的一项新技术,它成功地实现了射频识别技术和智能卡技术的结合。非接触式IC卡由IC芯片和天线组成。......
静电释放(Electro Static Discharge,ESD)是一种常见的自然现象。静电释放常常伴随高电压、大电流,具有能量集中、发生迅速等特点,......
本文对摩擦工艺过程中的线不良进行了分析,通过切割验证、设计方案变更验证了降低ESD风险的两个方向。通过实际的验证结果分析发现......
期刊
近年来,TFT-LCD(Thin-Film Transistor Liquid-Crystal-Display)平板显示器技术发展迅速,其周边集成技术的要求也越来越高。特别是......
学位
BCD技术是功率集成的最重要的技术。第一代BCD技术是20多年前由ST公司开发出来的。其特点是将硅平面工艺应用的功率集成上,将控制......
介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管（LED）静电保护的方法，分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理，并在此基础上，提出了改善Ga......
